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J-GLOBAL ID：200903097073659484

不揮発性半導体記憶装置及びその書き込み方法

Inventor： クロス ジェフリー スコット ,  脇谷 尚樹 ,  篠崎 和夫
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社 ,  国立大学法人東京工業大学
Agent (2)： 北野 好人 ,  三村 治彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005277712
Publication number (International publication number)：2007088349
Application date： Sep. 26, 2005
Publication date： Apr. 05, 2007
Summary：

【課題】抵抗値が異なる複数の抵抗状態を記憶する抵抗記憶素子を用いた不揮発性半導体記憶装置に関し、CMOSプロセスとの整合性に優れ、より低い駆動電圧で動作が可能な不揮発性半導体記憶装置及びその書き込み方法を提供する。【解決手段】電界の印加によって酸素イオン伝導性を示す酸化物絶縁材料よりなる絶縁層38と、絶縁層38を挟持する電極36,40を有する抵抗記憶素子42を有し、抵抗記憶素子に低抵抗状態又は高抵抗状態を記憶する不揮発性半導体記憶装置において、電極36,40間に電界を印加し、絶縁層36中の酸素イオンによって電極36を構成する導電性材料を酸化させることにより、低抵抗状態から高抵抗状態に書き換える。【選択図】図10

Claim (excerpt)：

電界の印加によって酸素イオン伝導性を示す酸化物絶縁材料よりなる絶縁層と、前記絶縁層を挟持する一対の電極であって、前記酸化物絶縁材料中の酸素イオンによって酸化される導電性材料よりなる第1の電極と、前記第1の電極と対向する第2の電極とを有し、低抵抗状態又は高抵抗状態を記憶する抵抗記憶素子を有する ことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (3)：

H01L 27/10 ,  H01L 45/00 ,  H01L 49/00

FI (3)：

H01L27/10 451 ,  H01L45/00 Z ,  H01L49/00 Z

F-Term (10)：

5F083FZ10 ,  5F083JA36 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA60 ,  5F083MA05 ,  5F083MA06 ,  5F083MA19 ,  5F083MA20 ,  5F083PR22