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J-GLOBAL ID：200903097103990849
半導体装置の製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993213883
Publication number (International publication number)：1995066203
Application date： Aug. 30, 1993
Publication date： Mar. 10, 1995
Summary：
【要約】【目的】この発明は、段差部におけるアルミニウム配線膜の薄膜化及び段切れの発生を防止する。【構成】シリコン基板25の表面に不純物拡散層26を形成し、拡散層26の上に層間絶縁膜27を堆積させ、絶縁膜27にコンタクトホ-ル27a を設ける。次に、ホ-ル27a の内及び絶縁膜27の上にTiN膜28を堆積させ、TiN膜28の上にLPCVD技術によりボロンド-プトアモルファスシリコン膜を堆積させる。次に、このアモルファスシリコン膜の上にアルミニウム配線膜30を堆積させ、前記アモルファスシリコン膜及び配線膜30は450°C程度の温度で1時間のアニ-ルを行うことにより、前記アモルファスシリコン膜と配線膜30とを置換する。次に、前記アモルファスシリコン膜をケミカルドライエッチングにより除去する。従って、段差部におけるアルミニウム配線膜の薄膜化及び段切れの発生を防止することができる。
Claim (excerpt)：
段差部を有する下地膜の上に不純物を添加したアモルファスシリコン膜を堆積させる工程と、前記アモルファスシリコン膜の上にアルミニウム膜を堆積させる工程と、前記アルミニウム膜及び前記アモルファスシリコン膜を350°C以上の温度で熱処理することにより、前記アモルファスシリコン膜と前記アルミニウム膜とを置換させる工程と、を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3)：
H01L 21/3205
, H01L 21/28 301
, H01L 21/768
H01L 21/88 P
, H01L 21/88 N
, H01L 21/90 C
Cited by examiner (7)
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