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J-GLOBAL ID：200903097142607343

窒化物半導体装置

Inventor： 中川 敦 ,  脇 英司
Applicant, Patent owner： 新日本無線株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005039387
Publication number (International publication number)：2006228891
Application date： Feb. 16, 2005
Publication date： Aug. 31, 2006
Summary：

【課題】 完全なノーマリーオフ型動作を実現することができる、窒化物半導体装置を提供すること。【解決手段】 基板上に積層したガリウム、アルミニウム、ホウ素及びインジウムからなる群のうち少なくとも1つからなるIII族元素と、窒素、リン及び砒素からなる群のうちの少なくとも窒素を含むV族元素で構成されたIII-V族窒化物半導体層からなる第1の窒化物半導体層と、第1の窒化物半導体層の上に積層したIII-V族窒化物半導体層からなり、アルミニウムを含まない第2の窒化物半導体層と、第2の窒化物半導体層にショットキ接触する制御電極とを備え、第2の窒化物半導体層は、第1の窒化物半導体層より成膜温度の低い膜からなる窒化物半導体装置において、制御電極に印加する制御電圧が0Vのとき、制御電極直下の前記第1の窒化物半導体層からなるチャネルにキャリアが存在せず、制御電極直下以外のチャネルにキャリアが存在するように構成する。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

基板上に積層したガリウム、アルミニウム、ホウ素及びインジウムからなる群のうち少なくとも1つからなるIII族元素と、窒素、リン及び砒素からなる群のうちの少なくとも窒素を含むV族元素で構成されたIII-V族窒化物半導体層からなる第1の窒化物半導体層と、該第1の窒化物半導体層の上に積層した前記III-V族窒化物半導体層からなり、アルミニウムを含まない第2の窒化物半導体層と、該第2の窒化物半導体層にショットキ接触する制御電極とを備え、前記第2の窒化物半導体層は、前記第1の窒化物半導体層より成膜温度の低い膜からなる窒化物半導体装置において、前記制御電極に印加する制御電圧が0Vのとき、前記制御電極直下の前記第1の窒化物半導体層からなるチャネルにキャリアが存在せず、前記制御電極直下以外の前記チャネルにキャリアが存在していることを特徴とする窒化物半導体装置。

IPC (3)：

H01L 29/812 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/338

FI (1)：

H01L29/80 H

F-Term (14)：

5F102FA00 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM07 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR04 ,  5F102GS01 ,  5F102GT01 ,  5F102GT03 ,  5F102HC01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-196749   Applicant：日本電気株式会社