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J-GLOBAL ID:200903097152204816

基板処理装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 杉谷 勉
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2004275497
Publication number (International publication number):2005244162
Application date: Sep. 22, 2004
Publication date: Sep. 08, 2005
Summary:
【課題】 気体の供給を工夫することにより、複数の基板に均一に処理を施すことができる基板処理装置を提供する。【解決手段】 バブラ3及びチューブバブラ31に気体を供給して処理槽1内に気泡を発生させる。複数枚の基板Wに対しては処理液による処理が施されるとともに、バブラ3からの気泡による相乗効果によって所定の処理が行われる。その際には、チューブバブラ31の第1辺33と第2辺35の両部から勢いよく気泡が発生されているので、これらの相乗効果もあってバブラ3からの気泡が渦を発生するのを効率的に防止でき、バブラ3からの気泡を上方へと向かわせることができる。したがって、バブラ3からの気泡が全ての基板Wに対してより均等に触れることになり、両端に位置する基板Wであっても処理ムラが生じることを防止して、全ての基板Wに対してより均等に処理を行うことができる。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
基板に処理を行う基板処理装置において、 処理液を貯留する処理槽と、 前記処理槽内において一方向に整列された複数の基板を保持する保持部と、 基板の整列方向に沿って設けられ、前記処理槽内の処理液に気体を発生し、複数の基板に気体を供給する複数のバブラと、 前記基板の整列方向の両端部にあたる前記バブラと前記処理槽との二箇所の間のうちいずれか一方に設けられ、前記処理槽内の処理液に気体を供給する気体供給部と、 を備えたことを特徴とする基板処理装置。
IPC (7):
H01L21/304 ,  B08B3/10 ,  B65G49/04 ,  G02F1/13 ,  G02F1/1333 ,  H01L21/306 ,  H01L21/68
FI (7):
H01L21/304 642Z ,  B08B3/10 Z ,  B65G49/04 D ,  G02F1/13 101 ,  G02F1/1333 500 ,  H01L21/68 N ,  H01L21/306 J
F-Term (22):
2H088FA17 ,  2H088FA21 ,  2H088FA28 ,  2H088FA30 ,  2H090HC18 ,  2H090JB02 ,  2H090JC19 ,  3B201AA02 ,  3B201AA03 ,  3B201AB42 ,  3B201BB02 ,  3B201BB87 ,  3B201BB92 ,  5F031CA02 ,  5F031CA05 ,  5F031HA42 ,  5F031HA73 ,  5F031MA23 ,  5F031MA24 ,  5F043EE02 ,  5F043EE06 ,  5F043GG10
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (1)
  • 特公平8-2419号公報(第1図及び第2図)
Cited by examiner (4)
  • エッチング装置
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平7-245402   Applicant:信越半導体株式会社
  • エッチング装置
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平6-086996   Applicant:新日本製鐵株式会社, ニッテツ電子株式会社
  • 洗浄装置およびその方法
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平7-019823   Applicant:東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン九州株式会社
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