電界効果型トランジスタ

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：若林忠 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998168602
Publication number (International publication number)：2000003919
Application date： Jun. 16, 1998
Publication date： Jan. 07, 2000
Summary：

【要約】【課題】高い耐圧特性と良好な高周波特性を兼ね備えたショットキ・ゲート電界効果型トランジスタを提供する。【解決手段】ゲート電極5とドレイン電極8との間に、チャンネル層2の上部に絶縁膜6を介して電界制御電極9を形成する。

Claim (excerpt)：

表面にチャンネル層が形成された半導体基板と、前記半導体基板上に離間して形成されたソース電極およびドレイン電極と、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に配置され、前記チャンネル層とショットキ接合したゲート電極とを有し、前記ゲート電極と前記ドレイン電極との間に、前記チャンネル層の上部に絶縁膜を介して電界制御電極が形成されたことを特徴とする電界効果型トランジスタ。

IPC (3)：

H01L 21/338 , H01L 29/812 , H01L 21/314

FI (2)：

H01L 29/80 F , H01L 21/314 A

F-Term (24)：

5F058BA01 , 5F058BB02 , 5F058BC02 , 5F058BC03 , 5F058BF02 , 5F058BF07 , 5F102FA01 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ04 , 5F102GJ05 , 5F102GJ06 , 5F102GL04 , 5F102GL05 , 5F102GN05 , 5F102GR04 , 5F102GR12 , 5F102GT03 , 5F102GT05 , 5F102GV05 , 5F102HC01 , 5F102HC11 , 5F102HC15

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特開昭53-072475
半導体装置及び送受信切り替え型アンテナスイッチ回路
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-033221 Applicant：沖電気工業株式会社
特開平1-096966

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