半導体装置の製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：高橋敬四郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994207032
Publication number (International publication number)：1996078359
Application date： Aug. 31, 1994
Publication date： Mar. 22, 1996
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】微細なSi領域に自己整合シリサイド(サリサイド)反応によって電極を形成する半導体装置の製造方法に関し、自己整合性に優れたCo膜のシリサイド反応を含む半導体装置の製造方法を提供する。【構成】シリコン基板101表面にフィールド酸化膜102を形成し、素子分離する工程と、フィールド酸化膜によって画定されたSi基板の表面をイオン注入し、導電性シリコン領域とする工程と、フィールド酸化膜102に隣接するSi表面が露出されている状態でSi基板上にCo膜104を堆積する工程と、CoSi2 は形成されないように選定した温度と時間との条件下で前記Si基板を加熱し、前記導電性シリコン領域と前記Co膜との間でシリサイド反応を行なわせ、Coシリサイドを形成する工程と、未反応のCo膜を除去する工程と、前記Si基板にさらに熱処理を行ない、前記CoシリサイドをCoSi2 106に変換する工程とを含む。

Claim (excerpt)：

シリコン基板表面にフィールド酸化膜を形成し、素子分離する工程と、フィールド酸化膜によって画定されたSi基板の表面をイオン注入し、導電性シリコン領域とする工程と、フィールド酸化膜に隣接するSi表面が露出されている状態でSi基板上にCo膜を堆積する工程と、CoSi2 は形成されないように選定した温度と時間との条件下で前記Si基板を加熱し、前記導電性シリコン領域と前記Co膜との間でシリサイド反応を行なわせ、Coシリサイドを形成する工程と、未反応のCo膜を除去する工程と、前記Si基板にさらに熱処理を行ない、前記CoシリサイドをCoSi2 に変換する工程とを含む半導体装置の製造方法。

IPC (6)：

H01L 21/28 301 , H01L 21/762 , H01L 21/3205 , H01L 21/316 , H01L 21/8244 , H01L 27/11

FI (4)：

H01L 21/76 D , H01L 21/88 Q , H01L 21/94 A , H01L 27/10 381

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

MOS集積回路上の自己整列珪化コバルト
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-039877 Applicant：ディジタルイクイプメントコーポレイション
特開平4-315424
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-349603 Applicant：川崎製鉄株式会社

Show all

Return to Previous Page