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J-GLOBAL ID:200903097340462822
複合磁性体及びその製造方法ならびに電磁干渉抑制体
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
後藤 洋介 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1996251249
Publication number (International publication number):1998097913
Application date: Sep. 24, 1996
Publication date: Apr. 14, 1998
Summary:
【要約】【課題】 渦電流による透磁率特性の劣化を抑止し、更に反磁界を減少させることによって高い実部透磁率特性を有する複合磁性体を提供すること。【解決手段】 第1、第2の軟磁性体粉末11、12と、有機結合剤13とから成り、前記第1の軟磁性体粉末は扁平形状を有し、前記第2の軟磁性体粉末は任意の形状を有し、かつその大きさが前記第1の軟磁性体粉末より十分に小さく、前記第1の軟磁性体粉末の単位体積当たりの総体積が、前記第2の軟磁性体粉末の単位体積当たりの総体積に比べて十分に大きいことを特徴とする複合磁性体。
Claim (excerpt):
第1、第2の軟磁性体粉末と、有機結合剤から成る複合磁性体であって、前記第1の軟磁性体粉末は扁平形状を有し、前記第2の軟磁性体粉末は任意の形状を有し、その大きさが前記第1の軟磁性体粉末より十分に小さく、かつ、前記第1の軟磁性体粉末の前記複合磁性体単位体積当たりの総体積が、前記第2の軟磁性体粉末の単位体積当たりの総体積に比べて十分に大きいことを特徴とする複合磁性体。
IPC (4):
H01F 1/24
, H01F 17/04
, H01Q 17/00
, H05K 9/00
FI (4):
H01F 1/24
, H01F 17/04 F
, H01Q 17/00
, H05K 9/00 M
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (10)
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