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J-GLOBAL ID：200903097395909257

低誘電率磁性体磁器材料及びその製造方法

Inventor：
北原 直人

About 北原 直人

, 
阿部 一智

About 阿部 一智


Applicant, Patent owner：
三菱マテリアル株式会社

About 三菱マテリアル株式会社


Agent (1)： 須田 正義
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000287919
Publication number (International publication number)：2002100510
Application date： Sep. 22, 2000
Publication date： Apr. 05, 2002
Summary：
【要約】【課題】 比誘電率を10以下に低くして1以上の比透磁率を得る。低誘電率磁性体磁器材料を960°C以下の温度で大気雰囲気で焼結してAg100%の内部導体を形成する。被焼成物の粒界における反応生成物が比較的少なく所期の磁気特性を得る。【解決手段】 SiO2を主成分とする誘電体磁器材料と、Ni-Zn-Cu系フェライトを主成分とする磁性体磁器材料とを混合して焼成してなる低誘電率磁性体磁器材料である。誘電体磁器材料がその焼結温度より100°C低い温度ないしその焼結温度で仮焼若しくは焼成してなる仮焼体若しくは焼結体粉末であり、磁性体磁器材料が700〜800°Cの温度で仮焼してなる仮焼体粉末である。磁性体磁器材料の仮焼体粉末をマトリックス材として40〜60体積%含み、誘電体磁器材料の仮焼体若しくは焼結体粉末を骨材として残部含む。
Claim (excerpt)：
SiO2を主成分とする誘電体磁器材料と、Ni-Zn-Cu系フェライトを主成分とする磁性体磁器材料とを混合して焼成してなる低誘電率磁性体磁器材料であって、前記誘電体磁器材料がその焼結温度より100°C低い温度ないしその焼結温度で仮焼若しくは焼成してなる仮焼体若しくは焼結体粉末であり、前記磁性体磁器材料が700〜800°Cの温度で仮焼してなる仮焼体粉末であり、前記磁性体磁器材料の仮焼体粉末をマトリックス材として40〜60体積%含み、前記誘電体磁器材料の仮焼体若しくは焼結体粉末を骨材として残部含むことを特徴とする低誘電率磁性体磁器材料。
IPC (5)：
H01F 1/34 ,  C04B 35/495 ,  C04B 35/14 ,  C04B 35/30 ,  H01F 41/02
FI (5)：
H01F 1/34 A ,  C04B 35/14 ,  C04B 35/30 C ,  H01F 41/02 D ,  C04B 35/00 J
F-Term (24)：
4G018AA01 ,  4G018AA23 ,  4G018AA24 ,  4G018AA25 ,  4G018AA31 ,  4G018AC01 ,  4G030AA27 ,  4G030AA29 ,  4G030AA31 ,  4G030AA32 ,  4G030AA37 ,  4G030BA01 ,  4G030GA01 ,  4G030GA09 ,  5E041AB14 ,  5E041AB19 ,  5E041AC05 ,  5E041BD01 ,  5E041CA01 ,  5E041HB01 ,  5E041HB03 ,  5E041NN00 ,  5E041NN02 ,  5E041NN18
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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