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J-GLOBAL ID：200903097413722143

酸化物半導体発光素子

Inventor： 齊藤 肇 ,  川崎 雅司
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社 ,  川崎 雅司
Agent (3)： 山崎 宏 ,  前田 厚司 ,  仲倉 幸典
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003149236
Publication number (International publication number)：2004356196
Application date： May. 27, 2003
Publication date： Dec. 16, 2004
Summary：

【課題】エピタキシャル層の欠陥を低減出来、高信頼性と高発光効率とを有する酸化物半導体発光素子を提供する。【解決手段】サファイア基板101とCd0.05Zn0.95O発光層105との間に、Zn2In2O5バッファ層102およびn型ZnOバッファ層103を形成している。このZn2In2O5バッファ層102は、ウルツ鉱型結晶構造を有するZnO系半導体との親和性に優れると共に、低電気抵抗で透明なn型半導体である。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

基板上に、ZnO系半導体から成る活性層が形成された酸化物半導体発光素子において、 上記基板と上記活性層との間に形成され、αβO3(ZnO)nで表されるZnO系半導体(α,β:III族元素、n:1以上の自然数)を含むn型バッファ層を備えたことを特徴とする酸化物半導体発光素子。

IPC (2)：

H01L33/00 ,  H01S5/347

FI (2)：

H01L33/00 D ,  H01S5/347

F-Term (11)：

5F041CA04 ,  5F041CA41 ,  5F041CA46 ,  5F073AA45 ,  5F073AA73 ,  5F073CA22 ,  5F073CA24 ,  5F073CB02 ,  5F073CB04 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 自然超格子ホモロガス単結晶薄膜とその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-340066   Applicant：科学技術振興事業団, 折田政寛, 太田裕道