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J-GLOBAL ID：200903097511610434

半導体装置の作製方法

Inventor： 張 宏勇
Applicant, Patent owner： 株式会社半導体エネルギー研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993180754
Publication number (International publication number)：1995086304
Application date： Jun. 25, 1993
Publication date： Mar. 31, 1995
Summary：

【要約】【目的】 特性の優れた結晶性珪素膜を得る。【構成】 基板101上の下地膜102上に選択的にニッケル膜を形成し、さらに非晶質珪素膜104を形成し、加熱により結晶化させる。さらに赤外光を照射してアニールを行うことによって、結晶性の優れた結晶性珪素膜を得る。そしてこの結晶性珪素膜を利用してTFTを形成する。

Claim (excerpt)：

基板上に非単結晶珪素膜を形成する工程と、前記非単結晶珪素膜を加熱によって結晶化させる工程と、該工程にひき続いて強光の照射によって結晶化を助長させる工程と、を有する半導体装置の作製方法。

IPC (4)：

H01L 21/336 ,  H01L 21/20 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/784

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭61-078120
  
• 多結晶半導体薄膜の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-268469   Applicant：ソニー株式会社
• 特開平3-284831
  
• 特開昭63-211759