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J-GLOBAL ID：200903097675944635

洗浄方法およびこれに用いる洗浄装置

Inventor：
稲垣 靖史

About 稲垣 靖史


Applicant, Patent owner：
ソニー株式会社

About ソニー株式会社


Agent (1)： 小池 晃 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995104269
Publication number (International publication number)：1996306653
Application date： Apr. 27, 1995
Publication date： Nov. 22, 1996
Summary：
【要約】【目的】 半導体ウェハの面内や表裏間、および複数のウェハ間における汚染の拡散を防止しながら、必要な洗浄を確実に行う。【構成】 ウェハの汚染状態を測定する測定部2と、測定データを解析評価して最適な洗浄条件を決定する解析評価部3と、該洗浄条件にしたがって実際の洗浄を行う洗浄部4を有する洗浄装置1を使用する。前段階の加工/処理を終了したウェハは、まず測定部2に搬入されて表面測定を受け、解析評価部3により洗浄が必要と判断されたウェハのみが洗浄部4で洗浄される。洗浄部4では、ノズルからウェハ上へ洗浄薬液を局所的に供給し、洗浄終了後はその液滴を同じまたは別のノズルで吸引除去する。【効果】 前段階の加工/処理後に一律にウェハを洗浄ラインへ送っていた従来プロセスに比べ、経済性,生産性,歩留まり,作業安全性が大幅に改善される。
Claim (excerpt)：
所定の前段階プロセスを終了した基板の汚染状態を測定する第1工程と、前記基板の汚染状態を解析評価し、その結果にもとづいて最適な洗浄条件を決定する第2工程と、前記洗浄条件にしたがって前記基板上の汚染発生領域のみを選択的に洗浄する第3工程とを有する洗浄方法。
IPC (4)：
H01L 21/304 341 ,  H01L 21/304 ,  B08B 3/00 ,  B08B 11/02
FI (5)：
H01L 21/304 341 S ,  H01L 21/304 341 L ,  H01L 21/304 341 M ,  B08B 3/00 ,  B08B 11/02
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)
  • 特開平2-229428
  • 多成分系薬液処理装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-233717   Applicant：島田理化工業株式会社
  • 特開昭62-122132

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