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J-GLOBAL ID：200903097683722943

絶縁ゲイト型電界効果トランジスタ及びその作製方法

Inventor： 張 宏勇 ,  大塚 憲司 ,  磯田 志郎
Applicant, Patent owner： 株式会社半導体エネルギー研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996307442
Publication number (International publication number)：1998135474
Application date： Oct. 31, 1996
Publication date： May. 22, 1998
Summary：

【要約】【課題】 ソース/ドレイン領域を形成する際の、添加した不純物の回り込みによるIGFETの特性の劣化を解決することを課題とする。【解決手段】 絶縁ゲイト型電界効果トランジスタのソース/ドレイン領域を、ソース/ドレインとして機能する領域と、ソース/ドレイン領域と電極とのコンタクト領域とに分離し、電極とのオーミックコンタクトを形成するため、コンタクト領域には高濃度に不純物を添加し、ソース/ドレインとして機能する領域には、回り込みを少なくするため低濃度に不純物を添加する。

Claim (excerpt)：

絶縁ゲイト型電界効果トランジスタにおいて、半導体層がチャネル領域と、低不純物領域と、ソース/ドレインとして機能する領域と、ソース/ドレインと電極とのコンタクト領域とからなり、前記コンタクト領域は、ソース/ドレインとして機能する領域よりも不純物濃度が高いことを特徴とする絶縁ゲイト型電界効果トランジスタ。

IPC (3)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/78

FI (4)：

H01L 29/78 616 A ,  H01L 29/78 301 L ,  H01L 29/78 616 V ,  H01L 29/78 616 J

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 半導体集積回路装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-295255   Applicant：シチズン時計株式会社
• 半導体装置およびその作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-191020   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
• イオンドーピング方法及びイオンドーピング装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-222586   Applicant：ソニー株式会社