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J-GLOBAL ID:200903097724793664
水素含有ガス製造方法及び水素含有ガス製造装置
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
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Agent (2):
高橋 祥泰
, 岩倉 民芳
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2003410685
Publication number (International publication number):2005170712
Application date: Dec. 09, 2003
Publication date: Jun. 30, 2005
Summary:
【課題】より低温で水素含有ガスを製造可能な水素含有ガス製造方法及び製造装置を提供すること。【解決手段】水分を含有した大気雰囲気でプラズマ放電を行うと共に改質反応触媒に炭化水素を噴射し、炭化水素から水素を脱離して水素含有ガスを製造すること。また、水素含有ガスを製造する際に、絶縁体20と、該絶縁体20の一方の表面201に設け、改質反応触媒を充填すると共に交流電源230に接続した放電電極21と、他方の表面202に設けた発熱電極22とを有する反応部2と、該反応部2に炭化水素を噴射する噴射装置とを有する反応器からなる。放電電極21は、外表面に酸化処理された多孔質酸化皮膜が形成されたアルミニウムからなることが好ましい。【選択図】図1
Claim (excerpt):
水分を含有した大気雰囲気でプラズマ放電を行うと共に改質反応触媒に炭化水素を噴射し、炭化水素から水素を製造することを特徴とする水素含有ガス製造方法。
IPC (1):
FI (1):
F-Term (3):
4G140EA03
, 4G140EA06
, 4G140EC07
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (1)
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水素ガス生成装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-257196
Applicant:ダイキン工業株式会社
Cited by examiner (2)
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光触媒を用いた物質変換方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-227405
Applicant:大同特殊鋼株式会社
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水素ガス生成方法及び燃料電池
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-087114
Applicant:富士通株式会社, 財団法人ファインセラミックスセンター
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