Pat
J-GLOBAL ID:200903097726866553
薄板状多孔質シリカ金属複合体粒子とその製造方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2005313537
Publication number (International publication number):2006151799
Application date: Oct. 27, 2005
Publication date: Jun. 15, 2006
Summary:
【課題】 薄板状形態を保持したままの、シリカ骨格中のSiを他金属で置換した、多孔質シリカ金属複合体粒子とその製造方法等の新しい技術手段を提供する。【解決手段】 下記式 (Si1-nMn)O2 式中、Mは多価金属を表し、 nはゼロを含まない0.1以下の数である、で表される化学的組成を有する薄板状シリカ金属複合体粒子であって、厚さが0.5μm未満の、シリケート骨格中のSi原子が多価金属で置換されていることを特徴とする薄板状シリカ金属複合体粒子とする。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
下記式
(Si1-nMn)O2
式中、Mは多価金属を表し、
nはゼロを含まない0.1以下の数である、
で表される化学的組成を有し、走査型顕微鏡観察により薄板状粒子の薄板の厚さが0.5μm未満であり、シリケート骨格中のSi原子が多価金属で置換されていることを特徴とする薄板状多孔質シリカ金属複合体粒子。
IPC (4):
C01B 33/12
, B01J 35/10
, B01J 35/02
, B01J 20/18
FI (4):
C01B33/12 A
, B01J35/10 301H
, B01J35/02 J
, B01J20/18 C
F-Term (51):
4G066AA61B
, 4G066BA09
, 4G066BA23
, 4G066BA25
, 4G066BA26
, 4G066CA54
, 4G072AA35
, 4G072AA37
, 4G072AA38
, 4G072BB09
, 4G072GG02
, 4G072HH21
, 4G072JJ14
, 4G072JJ28
, 4G072JJ47
, 4G072MM02
, 4G072MM31
, 4G072MM36
, 4G072TT06
, 4G072TT08
, 4G072TT09
, 4G072UU11
, 4G072UU30
, 4G169AA11
, 4G169AA14
, 4G169BA02A
, 4G169BA02B
, 4G169BB06A
, 4G169BB06B
, 4G169BC19B
, 4G169BC51B
, 4G169CA00
, 4G169CD08
, 4G169CD10
, 4G169EA08
, 4G169EB11
, 4G169EC04X
, 4G169EC04Y
, 4G169EC07X
, 4G169EC07Y
, 4G169EC11X
, 4G169EC11Y
, 4G169EC12X
, 4G169EC12Y
, 4G169EC25
, 4G169FB05
, 4G169FB30
, 4G169FB36
, 4G169HB06
, 4G169HC13
, 4G169HD06
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (2)
-
球状シリカ多孔質粒子及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2002-349024
Applicant:独立行政法人産業技術総合研究所, 水澤化学工業株式会社
-
定形多孔質シリカ乃至シリカ金属複合体粒子及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2003-066504
Applicant:独立行政法人産業技術総合研究所, 水澤化学工業株式会社
Cited by examiner (1)
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