半導体粒子の分散体から半導体要素を製作する方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：上柳雅誉 , 藤綱英吉 , 須澤修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005180203
Publication number (International publication number)：2006041495
Application date： Jun. 21, 2005
Publication date： Feb. 09, 2006
Summary：

【課題】半導体粒子の分散体から半導体要素を製作する方法を提供することである。この要素は、積層後この要素を焼結しなくても、マイクロプロセッサーやその他の高性能電気装置に使用するのに適した十分なバルク電荷担体移動度を有する。【解決手段】膜などの半導体要素を形成する方法が提供されている。この方法には、 (i)第2半導体またはその前駆体を含む液相に懸濁された第1半導体粒子を含む混合物が基板上に生じるように、第1半導体の粒子を含む懸濁液および第2半導体またはその前駆体を含む溶液を基板表面に積層する工程と、 (ii)第1半導体の隣接粒子を電気的に接続する第2半導体のマトリックス中に第1半導体の粒子を含む半導体要素を形成するために混合物を凝固させる工程とが含まれ、第1および第2半導体が、同じ伝導形式であり、且つ同じかまたは別の材料から形成されている。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

半導体要素を形成する方法であって、前記方法は、 (i)第2半導体またはその前駆体を含む液相に懸濁された第1半導体粒子を含む混合物が基板上に生じるように、前記第1半導体の粒子を含む懸濁液および前記第2半導体またはその前駆体を含む溶液を基板表面に積層する工程と、 (ii)前記第1半導体の隣接粒子を電気的に接続する前記第2半導体のマトリックス中に前記第1半導体の粒子を含む前記半導体要素を形成するための前記混合物を凝固させる工程とを含み、前記第1および第2半導体が、同じ伝導形式であり、且つ同じかまたは異なる物質から形成される前記方法。

IPC (7)：

H01L 29/786 , H01L 21/208 , H01L 21/368 , H05B 33/10 , H01L 51/50 , H01L 21/336 , H01L 51/05

FI (7)：

H01L29/78 618B , H01L21/208 Z , H01L21/368 L , H05B33/10 , H05B33/14 A , H01L29/78 618A , H01L29/28

F-Term (27)：

3K007BA06 , 3K007DB03 , 3K007FA00 , 3K007GA00 , 5F053AA06 , 5F053AA50 , 5F053DD19 , 5F053DD20 , 5F053FF01 , 5F053HH01 , 5F053LL10 , 5F053PP03 , 5F053RR05 , 5F053RR13 , 5F110AA01 , 5F110AA16 , 5F110BB01 , 5F110CC03 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110GG04 , 5F110GG05 , 5F110GG06 , 5F110GG07 , 5F110GG19 , 5F110GG25 , 5F110GG42

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-184860 Applicant：ソニー株式会社
特開平3-255669

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