磁性材料のエッチング方法及びプラズマエッチング装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner： , ,
Agent (1)：保立浩一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999130329
Publication number (International publication number)：2000322710
Application date： May. 11, 1999
Publication date： Nov. 24, 2000
Summary：

【要約】【課題】一酸化炭素とアンモニアの混合ガスを用いた磁性薄膜のエッチングの速度を遥かに高い速度とし、薄膜磁気ヘッド等の製造へのこの種の技術の実用化の途を開く。【解決手段】処理チャンバー2内にガス導入系3によって一酸化炭素とアンモニアの混合ガスが導入され、ヘリコン波プラズマを形成するプラズマ源1によってこれらのガスのプラズマが形成される。ニッケル、鉄、コバルト、これらのうち少なくとも一つを含む合金、窒化物もしくは酸化物、又は、これらの少なくとも一つを含む金属間化合物から成る磁性材料である対象物9の表面には、一酸化炭素との反応によりカルボニル化合物が生成され、このカルボニル化合物が蒸発してエッチングが行われる。プラズマは1×1011cm-3以上の密度となっており、質量の大きな一酸化炭素ガスが多くイオン化していて対象物9の表面に多く入射するため、エッチング速度が高くなる。

Claim (excerpt)：

ニッケル、鉄、コバルト、これらのうち少なくとも一つを含む合金、窒化物もしくは酸化物、又は、これらの少なくとも一つを含む金属間化合物から成る磁性材料である対象物の表面を臨む空間に、アンモニア及び一酸化炭素の混合ガスのプラズマを1×1011cm-3以上の密度で形成して、前記磁性材料である表面をエッチングすることを特徴とする磁性材料のエッチング方法。

IPC (4)：

G11B 5/31 , C23F 4/00 , H01L 21/3065 , H05H 1/46

FI (5)：

G11B 5/31 M , G11B 5/31 C , C23F 4/00 A , H05H 1/46 A , H01L 21/302 B

F-Term (13)：

4K057DA20 , 4K057DB11 , 4K057DD01 , 4K057DE20 , 4K057DM18 , 4K057DM40 , 5D033BA05 , 5D033DA08 , 5D033DA21 , 5D033DA31 , 5F004AA16 , 5F004DA00 , 5F004DB29

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

特許第2677321号
磁性体薄膜の加工方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-215412 Applicant：株式会社東芝

Cited by examiner (4)

特許第2677321号
ドライエツチング装置及びドライエツチング方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-277088 Applicant：株式会社東芝, 東京エレクトロン株式会社
特開昭57-131374

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