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J-GLOBAL ID:200903097841202324
液晶表示装置
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
朝日奈 宗太 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993052206
Publication number (International publication number):1994265936
Application date: Mar. 12, 1993
Publication date: Sep. 22, 1994
Summary:
【要約】【目的】 電極の比抵抗が小さく、かつ、誘電体として機能する絶縁膜の比誘電率が高いTFTのゲート絶縁膜部分やキャパシタをうると共に、これらの素子が用いられた高特性の液晶表示装置を提供する。【構成】 TFT2において、ゲート電極5は、ガラスなどの透明な絶縁基板4上に、たとえばタンタル層51とアルミニウム層52とが交互に積層されて形成されている。そして第1のゲート絶縁膜6aは、ゲート電極5の表面のタンタル層51とアルミニウム層52とが陽極酸化されることにより形成される、五酸化タンタル(Ta2 O5 )層61と酸化アルミニウム(Al2 O3 )層62との積層体からなっている。
Claim (excerpt):
各画素ごとにスイッチング用薄膜トランジスタと補助容量とを有するアクティブマトリックス形液晶表示装置であって、前記薄膜トランジスタのゲート絶縁膜および/または前記補助容量の絶縁膜の少なくとも一部が2種類以上の金属膜の酸化物からなる液晶表示装置。
IPC (2):
G02F 1/136 500
, H01L 29/784
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)
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特開昭64-035421
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特開平2-048639
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薄膜トランジスタアレイおよびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-349111
Applicant:松下電器産業株式会社
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