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J-GLOBAL ID：200903097882510343

シリコンウェーハの洗浄方法

Inventor： 浅野 政幸 ,  末永 亨 ,  米原 弘昭 ,  岡 安則
Applicant, Patent owner： 住友シチックス株式会社
Agent (1)： 押田 良久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993098950
Publication number (International publication number)：1994291099
Application date： Mar. 31, 1993
Publication date： Oct. 18, 1994
Summary：

【要約】【目的】 ウェーハ表面の重金属を除去でき、人体に対して危険性が少なく、腐食性の小さなHPM処理に代わるシリコンウェーハの洗浄方法の提供。【構成】 循環濾過式洗浄液槽を使用し、洗浄液としてpH3以下の有機酸を用いてAPM洗浄後のウェーハの最終仕上げ洗浄を行う。【効果】 低腐食性の有機酸を使用するために、耐腐食性構造を必要としないので設備が小型化でき、スペースの少ない所でも容易に設備化でき、人体に対する危険性も少なく操作性、メンテナンス性に優れ、HPM洗浄と比較してMCL除去効果は同等で、キレート効果を持つため、重金属の再付着を防止することができ、MCLライフタイムにおいて安定した品質が得られる。

Claim (excerpt)：

洗浄液槽内にウェーハを浸漬して洗浄する浸漬式洗浄方法において、洗浄液として有機酸を用いて、ウェーハの最終仕上げ洗浄を行うことを特徴とするシリコンウェーハの洗浄方法。

IPC (2)：

H01L 21/304 341 ,  C11D 7/22

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 液中異物付着制御法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-226873   Applicant：株式会社日立製作所
• 特開平4-033338
  
• 特開平4-179225