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J-GLOBAL ID：200903097942996585

半導体発光装置およびその製造方法

Inventor： 内藤 正美 ,  恩田 正一
Applicant, Patent owner： 株式会社デンソー
Agent (1)： 伊藤 洋二 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000105279
Publication number (International publication number)：2001291900
Application date： Apr. 06, 2000
Publication date： Oct. 19, 2001
Summary：

【要約】【課題】 作製が容易な1チップの発光装置で高輝度な白色発光が得られる半導体発光装置を提供する。【解決手段】 窒素がドーピングされたn型SiC基板10の表層部に、ボロン等をイオン注入してn型SiC11を形成する。このn型SiC11上に、n型窒化物半導体層12、n型AlGaN層13、InGaN層14、p型AlGaN層15とp型GaN層16を順次積層する。さらに、n型SiC基板10の裏面にn型オーミック電極20、p型GaN層16の表面にp型オーミック電極21を形成する。このような構成においては、p型オーミック電極21とn型オーミック電極20の間に順方向に電圧を印加すると、両電極間に電流が流れ、InGaN層14が青色に発光する。この青色の光に励起されて、n型SiC11が黄色に発光する。これら二色が組み合わさり、白色に近い光が発光される。

Claim (excerpt)：

炭化珪素基板(10)と、前記炭化珪素基板上に形成された青色を発光する発光素子(12〜16)とを備えてなり、前記炭化珪素基板が、前記発光素子から発光された青色の光に励起されて黄色の光を発光することを特徴とする半導体発光装置。

FI (2)：

H01L 33/00 F ,  H01L 33/00 C

F-Term (6)：

5F041AA12 ,  5F041CA33 ,  5F041CA40 ,  5F041CA50 ,  5F041CA55 ,  5F041CA57

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• 半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-241889   Applicant：三洋電機株式会社, 鳥取三洋電機株式会社
• 発光装置、その製造方法およびディスプレイ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-108760   Applicant：ヒューレット・パッカード・カンパニー
• 表示装置及びそれに用いる蛍光スクリーンの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-240317   Applicant：松下電器産業株式会社

Cited by examiner (3)

• 半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-241889   Applicant：三洋電機株式会社, 鳥取三洋電機株式会社
• 発光装置、その製造方法およびディスプレイ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-108760   Applicant：ヒューレット・パッカード・カンパニー
• 表示装置及びそれに用いる蛍光スクリーンの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-240317   Applicant：松下電器産業株式会社