半導体発光素子

Inventor：
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：安富耕二 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998241889
Publication number (International publication number)：2000077713
Application date： Aug. 27, 1998
Publication date： Mar. 14, 2000
Summary：

【要約】【課題】高い制御性が必要であるp型透明電極を不要とすること。【解決手段】 n型の4Hもしくは2H-SiCからなる基板2の上に、n型GaN半導体層3、GaN半導体発光層4、p型AlGaN半導体層5、p型GaN半導体層6を積層するととともに、SiC基板2にn型電極8を形成し、p型GaN半導体層6にp型電極7を形成した半導体発光素子1であって、n型電極8を基板2の隅に配置したことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

SiCからなる半導体製の基板の上にGaN系の半導体発光層を含む半導体層を積層した半導体発光素子であって、前記SiC基板として、発光波長に対して透明、かつ導電性のある基板を用いるとともに、このSiC基板に接続する不透明なパッド電極をSiC基板の中央を避けて隅部に配置したことを特徴とする半導体発光素子。

FI (2)：

H01L 33/00 C , H01L 33/00 E

F-Term (14)：

5F041AA03 , 5F041AA42 , 5F041CA03 , 5F041CA05 , 5F041CA13 , 5F041CA33 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA49 , 5F041CA57 , 5F041CA84 , 5F041DA02 , 5F041DA07 , 5F041DA43

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (11)

窒化物系III-V族化合物半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-344219 Applicant：シャープ株式会社
半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-198336 Applicant：三洋電機株式会社
化合物半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-131490 Applicant：株式会社東芝

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