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J-GLOBAL ID：200903097967845247

チエノチオフェン誘導体

Inventor： ルイーズ・ファランド ,  マーカス・トンプソン ,  マーク・ジルズ ,  マーティン・ヒューニー ,  スティーブン・ティルニー ,  マキシム・シュクノフ ,  デービッド・スパロウ ,  イアン・マックローチ
Applicant, Patent owner： メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフトング
Agent (1)： 葛和 清司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002199413
Publication number (International publication number)：2003073382
Application date： Jul. 09, 2002
Publication date： Mar. 12, 2003
Summary：

【要約】【課題】半導体または電荷移送物質としての使用のための、合成が容易で、高い電荷移送体の移動性を有し、そして良好なプロセス能を有する新規な有機物質を提供する。【解決手段】本発明は、新しいチエノチオフェン誘導体に関し、それらの使用であって、半導体または電荷移送物質としての使用、光学的、電気光学的または電子デバイス中の、例えば薄膜トランジスタ液晶ディスプレイ用の有機電界効果トランジスタ(FETまたはOFET)中でのおよびRFIDタグのような集積回路デバイス中でのような使用、フラットパネルディスプレイ中のエレクトロルミネセントデバイス、および光起電性またはセンサーデバイス中での使用に関し、ならびに前記チエノチオフェン誘導体を含む電界効果トランジスタ、発光デバイスまたはIDタグに関する。

Claim (excerpt)：

チエノチオフェンであって、一般式IR1-Z1-(A1-Z2)m-(T-Z3)n-(A2-Z4)O-R2 I式中、R1およびR2は、互いに独立してH、ハロゲン、CN、NO2、C原子を1〜20個有し、無置換であるか、F、Cl、Br、IまたはCNによってモノ置換または多置換されていてもよい直鎖状、分枝状または環状のアルキルであり、その隣接し合わない1または2以上のCH2基はまた、それぞれ互いに独立して、Oおよび/またはS原子が互いに直接結合されない形で-O-、-S-、-NH-、-NR0-、-SiR0R00-、-CO-、-COO-、-OCO-、-OCO-O-、-S-CO-、-CO-S-、-CH=CH-または-C≡C-によって置換されていることができ、R0およびR00は、互いに独立してHまたはC-原子を1〜12個有するアルキルであり、A1およびA2は、互いに独立して、1または2以上のヘテロ原子および1または2以上の縮合環を含んでいてもよい脂環族または芳香族基であり、そしてA1はまたTを表してもよく、Z1〜Z4は、互いに独立して-O-、-S-、-CO-、-COO-、-OCO-、-O-COO-、-CO-NR0-、-NR0-CO-、-OCH2-、-CH2O-、-SCH2-、-CH2S-、-CF2O-、-OCF2-、-CF2S-、-SCF2-、-CH2CH2-、-CF2CH2-、-CH2CF2-、-CF2CF2-、-CH=N-、-N=CH-、-N=N-、-CH=CR0-、-CX1=CX2-、-C≡C-、-CH=CH-COO-、-OCO-CH=CH-または単結合であり、X1およびX2は、互いに独立してH、F、ClまたはCNであり、Tは、3、4、5または6個の縮合チオフェン環からなる基であり、それはまたR1によってモノ-または多置換されていてもよく、mおよびOは、互いに独立して0、1、2または3であり、そしてnは、1、2または3である、で表される、前記チエノチオフェン。

IPC (7)：

C07D495/14 ,  C09K 19/34 ,  G03G 5/06 315 ,  G03G 5/06 ,  G03G 5/07 103 ,  H05B 33/14 ,  H05B 33/22

FI (8)：

C07D495/14 A ,  C09K 19/34 ,  G03G 5/06 315 B ,  G03G 5/06 315 Z ,  G03G 5/07 103 ,  H05B 33/14 A ,  H05B 33/22 B ,  H05B 33/22 D

F-Term (19)：

2H068AA20 ,  2H068AA21 ,  2H068BA14 ,  2H068BA16 ,  2H068BB01 ,  2H068BB49 ,  3K007AB03 ,  3K007AB18 ,  3K007DB03 ,  4C071AA01 ,  4C071BB02 ,  4C071CC23 ,  4C071EE13 ,  4C071FF23 ,  4C071GG01 ,  4C071JJ01 ,  4C071LL05 ,  4H027DL01 ,  4H027DL05

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタ用半導体材料
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-295074   Applicant：ルーセントテクノロジーズインコーポレーテッド
• 特開昭60-136583
  

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• Synthetic Metals, 200103, Vol.119, p.175-176
• Chemistry Letters, 1991, Vol.7, p.1117-1120
• Makromolekulare Chemie, 1982, Vol.183, No.11, p.2771-2786