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J-GLOBAL ID：200903098007055329

レーザ光源装置

Inventor： 小江 啓司 ,  竹下 健司 ,  金井 伸夫
Applicant, Patent owner： ミノルタ株式会社
Agent (1)： 石原 勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995143014
Publication number (International publication number)：1996340143
Application date： Jun. 09, 1995
Publication date： Dec. 24, 1996
Summary：

【要約】【目的】 通常のレーザダイオードが用いられる外部検出型で、レーザ発振源からの発散ビームの光量を正確にリアルタイムで検出できるようにする。【構成】 レーザ発振源1からの発散ビームLBをコリメータレンズ2により平行光として出射するものであって、コリメータレンズ2の付近で、レーザ発振源1からの発散ビームLBのうちの光量が一定以上となる中心部の有効域光LB1の光路から外れた位置に、発散ビームLBの光量を検出する光検出器11を設け、レーザ光源1からの発散ビームLBのうちの光量が一定以下となる周辺の有効域外光LB2を光検出器11に受光させる光量検出光学系12を備えている。

Claim (excerpt)：

レーザ発振源からの発散ビームをコリメータレンズにより平行光として出射するレーザ光源装置において、コリメータレンズの付近で、レーザ発振源からの発散ビームのうちの光量が一定以上となる中心部の有効域光の光路から外れた位置に、発散ビームの光量を検出する光検出器を設け、レーザ発振源からの発散ビームのうちの光量が一定以下となる周辺の有効域外光を光検出器に受光させる光量検出光学系を備えたことを特徴とするレーザ光源装置。

IPC (2)：

H01S 3/133 ,  H01S 3/103

FI (2)：

H01S 3/133 ,  H01S 3/103

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 特開昭63-074129
  
• 半導体レーザの光量制御方法及び半導体レーザ装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-144711   Applicant：富士通株式会社
• 特開昭57-173238
  
• 特開平4-338689
  
• 特開平3-091283