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J-GLOBAL ID：200903098031169122

3-5族化合物半導体とその製造方法および発光素子

Inventor： 家近 泰 ,  小野 善伸 ,  高田 朋幸
Applicant, Patent owner： 住友化学工業株式会社
Agent (1)： 久保山 隆 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996015228
Publication number (International publication number)：1997116130
Application date： Jan. 31, 1996
Publication date： May. 02, 1997
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】 欠陥の少ない高品質の3-5族化合物半導体とその製造方法、及び該化合物半導体を用いた発光特性の良好な発光素子を提供する。【解決手段】 サファイア基板9の鏡面研磨C面上に基板温度550°Cで、トリメチルGaとNH3を供給しGaNのバッファ層8を形成した後、基板温度を1100°Cまで上げシランを送りSiをドープしたn型GaN層5を成長させ、さらに同温度でノンドープのGaN層4を形成した。次に基板温度を780°Cまで下げ、TEG、TMI,NH3を用いて発光層のIn0.3Ga0.7N層1を成長させ、さらに同温度でTEG,TEA及びNH3を送り保護層のGa0.8Al0.2N層2を形成した後、基板温度を1100°Cに上げMgドープしたGaN層3を成長させた。この3-5族半導体試料を炉から取出しN2中熱処理してGaN層3を低抵抗のP型層にした後、P及びn電極6,7を付けて明瞭な青色発光素子が得られた。

Claim (excerpt)：

一般式In<SB>x </SB>Ga<SB>y </SB>Al<SB>z </SB>N(ただし、x+y+z=1、0<x<1、0<y<1、0≦z<1)で表される3-5族化合物半導体からなる第1の層と、一般式Ga<SB>x'</SB>Al<SB>y'</SB>N(ただし、x’+y’=1、0<x’≦1、0≦y’<1)で表される3-5族化合物半導体からなる第2の層と、一般式Ga<SB></SB><SB>x'' </SB>Al<SB>y'' </SB>N(ただし、x''+y''=1、0<x''≦1、0≦y''<1)で表される3-5族化合物半導体からなる第3の層とが、この順に積層してなる構造を有し、該第1の層の厚みが5Å以上90Å以下であることを特徴とする3-5族化合物半導体。

IPC (4)：

H01L 29/43 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 33/00

FI (4)：

H01L 29/46 Z ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/28 301 Z ,  H01L 33/00 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 自動二輪車における燃料ホースの接続構造
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-316528   Applicant：スズキ株式会社