半導体記憶装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：加藤朝道
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995138600
Publication number (International publication number)：1996315596
Application date： May. 12, 1995
Publication date： Nov. 29, 1996
Summary：

【要約】【目的】書換回数制限がある不揮発性メモリ素子を用いた半導体記憶装置の装置寿命を延長する。【構成】書換回数制限のある不揮発性メモリ素子で構成される記憶領域上に、独立に書込可能な書込単位ブロックから構成される、独立に消去可能な消去単位ブロックを具備するデータ記憶部と、上位装置から書込単位ブロックごとに行われる書換での更新データを一時的に蓄える一時記憶部と、データ記憶部及び一時記憶部のデータ入出力を管理する入出力制御部とを備える。書換の際には、一時記憶部に更新データを書き込み、更新データ書き込み可能な空き領域が一時記憶部に存在しない場合に、一時記憶部に記憶されている書込単位ブロックを消去単位ブロックごとに分類し、選択された消去単位ブロックを、一時記憶部に存在し該当消去単位ブロックに属する書込単位ブロックデータで修正し書き換える。

Claim (excerpt)：

書換回数制限がある不揮発性メモリ素子を用いた半導体記憶装置であって、書換回数制限のある不揮発性メモリ素子から構成される記憶領域上に、少なくとも一の独立に書込可能な書込単位ブロックから構成され、少なくとも一の独立に消去可能な消去単位ブロックを具備するデータ記憶部と、前記書込単位ブロック毎に行われる書換えにおける更新データを一時的に蓄える一時記憶部と、入力された論理アドレスから物理アドレスを算出し、前記データ記憶部及び前記一時記憶部のデータ入出力を管理する入出力制御部と、を備え、書換えの際に、前記入出力制御部が、前記一時記憶部に更新データの書き込みを行なうための空き領域が存在するか否かを判定し、空き領域が存在する場合には、前記一時記憶部に更新データを書き込み、空き領域が存在しない場合には、所属する書込単位ブロックに対応する更新データが前記一時記憶部に記憶されている消去単位ブロックの少なくとも一を書換対象ブロックとして選択し、選択された前記消去単位ブロックを前記一時記憶部に存在するデータのうち該当消去単位ブロックに属する書込単位ブロックの更新データで修正して書き換えることを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (2)：

G11C 29/00 303 , G11C 16/06

FI (2)：

G11C 29/00 303 A , G11C 17/00 309 F

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

記憶装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-206321 Applicant：株式会社メルコ
不揮発性メモリ記憶装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-261209 Applicant：松下電器産業株式会社

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