ヘテロ接合バイポーラトランジスタ

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998071607
Publication number (International publication number)：1999274167
Application date： Mar. 20, 1998
Publication date： Oct. 08, 1999
Summary：

【要約】【課題】ヘテロ接合バイポーラトランジスタにおいて、電子と正孔との再結合に起因する通電中の電流増幅率の低下を抑制する。【解決手段】GaAs基板11上にn型GaAsコレクタ層11、p型GaAsベース層14が形成され、ベース層14上にn型AlGaAsパッシベーション層15が形成されている。パッシベーション層15上に、パッシベーション層15より断面積が小さいエミッタコンタクト層17,18が形成されている。ベース層14上及びパッシベーション層15の側部にベース電極16が形成されている。

Claim (excerpt)：

第1導電型のコレクタ層、第2導電型のベース層及び第1導電型のエミッタ層を具備し、前記エミッタ層の前記ベース層に接する層は、該ベース層のバンドギャップより大きなワイドギャップエミッタ層で形成されたヘテロ接合バイポーラトランジスタにおいて、前記ベース層に接続するベース電極は、前記ワイドギャップエミッタ層に接触していることを特徴とするヘテロ接合バイポーラトランジスタ。

IPC (3)：

H01L 21/331 , H01L 29/73 , H01L 29/205

FI (2)：

H01L 29/72 , H01L 29/205

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

ヘテロ接合型バイポーラトランジスタ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-259888 Applicant：富士通株式会社
ヘテロ接合バイポーラトランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-086748 Applicant：日本電信電話株式会社
特開平4-251937

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