熱伝播時間計測型フローセンサとその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：瀧野秀雄 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994303421
Publication number (International publication number)：1996062011
Application date： Dec. 07, 1994
Publication date： Mar. 08, 1996
Summary：

【要約】【目的】感度が良く、広範囲の流速を計測でき、汚れに対する耐性が高い熱伝播時間計測型フローセンサを提供する。【構成】N型シリコン基板1にSiO2 膜4、Si3 N4 膜5を設け、その上にTi膜とPt膜の二重膜の薄膜抵抗膜で参照温度検出素子6、加熱素子7、温度検出素子8を間隔をおいて形成し、表面をSiO2 膜9で被覆する。参照温度検出素子6の測温抵抗体6a、加熱素子7のマイクロヒータ部7a、温度検出素子8の測温抵抗体8aの下に均熱板としてP++型領域3を設ける。シリコン基板1を裏面から選択エッチしてP++型領域3とその周辺のSiO2 膜4を露出させ、熱絶縁構造とする。

Claim (excerpt)：

流体が流れる流管内に設けられた一導電型シリコン基板と、このシリコン基板の上面に設けられた絶縁膜と、この絶縁膜上に間隔をおいて平行に前記流体の上流側から下流側に向かって順に薄膜抵抗膜で形成された加熱素子および温度検出素子と、前記加熱素子のマイクロヒータ部の下の前記シリコン基板を裏面から選択エッチして前記絶縁膜を露出させる凹部とを備えた熱伝播時間計測型フローセンサにおいて、前記加熱素子の上流側に参照温度検出素子が設けられ、前記参照温度検出素子、前記加熱素子および前記温度検出素子の表面が酸化シリコン膜で被覆され、前記参照温度検出素子の測温抵抗体と前記加熱素子のマイクロヒータ部と前記温度検出素子の測温抵抗体の下にそれぞれ均熱板として反対導電型領域が設けられ、前記シリコン基板に前記反対導電型領域とその周辺の前記絶縁膜を露出させる凹部が設けられていることを特徴とする熱伝播時間計測型フローセンサ。

IPC (3)：

G01F 1/68 , G01P 5/12 , H01L 29/84

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

ダイヤモンド保護膜を有する電熱器およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-302547 Applicant：東京瓦斯株式会社
特開平2-262013
特開昭63-282662

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