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J-GLOBAL ID：200903098352689667

電界放出型電子エミッタ

Inventor： 真島 豊 ,  西沢 秀之 ,  早瀬 修二
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 須山 佐一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993332042
Publication number (International publication number)：1995192604
Application date： Dec. 27, 1993
Publication date： Jul. 28, 1995
Summary：

【要約】【目的】 酸化やスパッタリングによるエミッタ先端径の増加やエミッタ先端の溶融破壊を防止した電界放出型電子エミッタ、さらには電子放出効率の向上を図った電界放出型電子エミッタを提供する。【構成】 Si(100)基板1等の基板上に設けられた錐状の例えばSi突起2と、その表面を覆うように設けられ、Si突起2表面と化学的に結合した有機ケイ素化合物および有機ゲルマニウム化合物から選ばれた有機金属化合物膜3とを具備する電界放出型電子エミッタである。あるいは、Si突起の少なくとも先端部表面と化学的に結合した有機ケイ素高分子化合物、有機ゲルマニウム高分子化合物およびフラーレン化合物から選ばれた導電性化合物を具備するものである。

Claim (excerpt)：

基板上に設けられた導体および半導体のいずれかよりなる錐状突起と、前記錐状突起の表面を覆うように設けられ、前記錐状突起表面と化学的に結合した有機ケイ素化合物および有機ゲルマニウム化合物から選ばれた有機金属化合物膜とを具備することを特徴とする電界放出型電子エミッタ。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 電界放出電子エミッタ及びその形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-241326   Applicant：モトローラ・インコーポレイテッド