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J-GLOBAL ID：200903098373027478
半導体構成素子の製造のための方法
Inventor：
,
,
Applicant, Patent owner：
Agent (5)：
矢野 敏雄
, 山崎 利臣
, 久野 琢也
, アインゼル・フェリックス=ラインハルト
, ラインハルト・アインゼル
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2006501476
Publication number (International publication number)：2006518668
Application date： Jan. 27, 2004
Publication date： Aug. 17, 2006
Summary：
本発明は半導体構成素子の製造のための方法に関し、この方法では半導体層(2)は基板(1)からレーザパルスによる照射によって分離され、このレーザパルスのパルス持続時間は10nsよりも小さいか又は10nsに等しい。レーザパルスは空間的なビームプロフィールを有し、この空間的なビームプロフィールのエッジ急峻度は、半導体層(2)と基板(1)との分離の際に熱的に誘導された横方向の歪みによって生じる半導体層(2)における亀裂が回避されるように小さく選択される。
Claim (excerpt)：
半導体構成素子の製造のための方法であって、半導体層(2)は基板(1)からレーザパルス(6)の照射によって分離され、前記レーザパルス(6)のパルス持続時間は10nsよりも小さいか又は10nsに等しい、半導体構成素子の製造のための方法において、
前記レーザパルス(6)は空間的なビームプロフィール(7)を有し、該空間的なビームプロフィール(7)のエッジ急峻度は、半導体層(2)と基板(1)との分離の際に熱的に誘導された横方向の歪みによって生じる前記半導体層(2)における亀裂が回避されるように小さく選択されることを特徴とする、半導体構成素子の製造のための方法。
IPC (3)：
B23K 26/40
, H01L 33/00
, H01S 3/00
B23K26/40
, H01L33/00 C
, H01S3/00 B
4E068AE01
, 4E068CA01
, 4E068CA02
, 4E068CA03
, 4E068CA09
, 4E068DA09
, 5F041AA07
, 5F041CA40
, 5F041CA77
, 5F041CB15
, 5F172AD03
, 5F172AD06
, 5F172AF02
, 5F172ZZ01
