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J-GLOBAL ID：200903098394518153

焼結体およびその製造方法ならびに該焼結体を用いる成膜方法および該焼成体により成膜した膜

Inventor： 真貝 勝 ,  柴田 清人 ,  阿萬 康知 ,  三浦 裕司
Applicant, Patent owner： 株式会社リコー
Agent (1)： 池浦 敏明 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999068596
Publication number (International publication number)：2000264731
Application date： Mar. 15, 1999
Publication date： Sep. 26, 2000
Summary：

【要約】【課題】 直流スパッタリング法によって良質の誘電体薄膜が成膜できるターゲット材料を提供する。【解決手段】 主たる成分である絶縁性を有する物質と、ダイヤモンド構造を含まない炭素または金属以外の導電性無機化合物の導電性を有する材料とを混合し焼成してなり、その得られた焼結体の電気抵抗率が焼結前の該絶縁性物質の電気抵抗率より低いことを特徴とする焼結体。

Claim (excerpt)：

主たる成分である絶縁性を有する物質と、ダイヤモンド構造を含まない炭素または金属以外の導電性無機化合物の導電性を有する材料とを混合し、焼成してなり、その得られた焼結体の電気抵抗率が焼結前の該絶縁性を有する物質の電気抵抗率より低いことを特徴とする焼結体。

IPC (6)：

C04B 35/495 ,  C04B 35/547 ,  C23C 14/06 ,  C23C 14/34 ,  G11B 7/24 534 ,  G11B 7/26 531

FI (6)：

C04B 35/00 J ,  C23C 14/06 L ,  C23C 14/34 A ,  G11B 7/24 534 H ,  G11B 7/26 531 ,  C04B 35/00 T

F-Term (24)：

4G030AA37 ,  4G030AA55 ,  4G030AA60 ,  4G030BA02 ,  4G030BA09 ,  4G030CA08 ,  4G030GA24 ,  4G030GA27 ,  4K029AA11 ,  4K029BA34 ,  4K029BA46 ,  4K029BA51 ,  4K029BC05 ,  4K029BD12 ,  4K029CA05 ,  4K029DC02 ,  4K029DC34 ,  5D029LA12 ,  5D029LA14 ,  5D029LA15 ,  5D029LB01 ,  5D121AA03 ,  5D121EE09 ,  5D121EE11

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• スパッタリングターゲット
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-167651   Applicant：東レ株式会社
• 特開昭63-143254
  
• 特開昭63-143254