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J-GLOBAL ID：200903098410525823

光素子

Inventor： 南部 芳弘
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 後藤 洋介 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996007208
Publication number (International publication number)：1997199800
Application date： Jan. 19, 1996
Publication date： Jul. 31, 1997
Summary：

【要約】【課題】 広帯域でフラットなスペクトルを持つ利得媒質や、これを用いた同じ特性を有するレーザや光アンプ等の光素子、温度特性に優れたレーザや光アンプ等の光素子を提供すること。【解決手段】 本発明の半導体レーザや光アンプ等の光素子は、熱的ド・ブロイ波長程度のサイズを有する2次元あるいは3次元キャリア閉じ込め構造半導体利得材料により構成されるレーザや光アンプ等の光素子において、利得スペクトルが波長依存性を持たないようにキャリア閉じ込め構造半導体のサイズを制御することを特徴とする。

Claim (excerpt)：

熱的ド・ブロイ波長程度のサイズを有する2次元あるいは3次元キャリア閉じ込め構造半導体利得材料により構成される光素子において、利得スペクトルが波長依存性を持たないようにキャリア閉じ込め構造半導体のサイズを制御することを特徴とする光素子。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  H01S 3/10

FI (2)：

H01S 3/18 ,  H01S 3/10 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 光半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-314378   Applicant：富士通株式会社
• 特開平4-273492
  
• 半導体光増幅素子およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-343928   Applicant：松下電器産業株式会社