光半導体装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：柏谷昭司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994314378
Publication number (International publication number)：1996172217
Application date： Dec. 19, 1994
Publication date： Jul. 02, 1996
Summary：

【要約】【目的】光半導体装置に関し、狭い発光スペクトル幅を有し、発光効率が高い発光ダイオード、半導体レーザ、面発光型半導体レーザ等の光半導体装置を提供する。【構成】活性層が複数の量子細線QWからなり、各量子細線QWはキャリアがトンネルできる少なくとも1個の隣接する量子細線QWを有する構造を有し、電流注入あるいは光励起によって発生したキャリアを相対的にエネルギーが低い量子細線QWに順次トンネルさせて、この相対的にエネルギーが低い量子細線QWで発光させることによって狭い発光スペクトル幅を有する発光を得る。この量子細線を量子箱によって代えることができる。低温ではキャリアのトンネル速度が小さいためエネルギーが高い量子細線で発光するものもあって発光スペクトル幅が広いが、室温ではキャリアのトンネル速度が大きいためエネルギーが低い量子細線で発光するものが多く発光スペクトル幅が狭くなる。

Claim (excerpt)：

活性層が複数の量子細線からなり、該量子細線はキャリアがトンネルできる少なくとも1個の隣接する量子細線を有する構造を有し、電流注入あるいは光励起によって発生したキャリアを相対的にエネルギーが低い量子細線に順次トンネルさせて、該相対的にエネルギーが低い量子細線で発光させることを特徴とする光半導体装置。

IPC (4)：

H01L 33/00 , H01L 29/06 , H01L 29/66 , H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

特開平4-120784
面形発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-020489 Applicant：日本電信電話株式会社
面発光レーザダイオード
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-203383 Applicant：日本電信電話株式会社

Show all

Return to Previous Page