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J-GLOBAL ID：200903098440298856
半導体発光装置及びその製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
長谷川 曉司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998077185
Publication number (International publication number)：1998326937
Application date： Mar. 25, 1998
Publication date： Dec. 08, 1998
Summary：
【要約】【課題】 コンタクト層と電極との接触抵抗を減少させるとともに、リッジ側壁部の表面酸化を防ぎ、レーザ特性や信頼性を向上させる。【解決手段】 基板上に第1導電型第1クラッド層、活性層、第2導電型第1クラッド層、電流が注入されるストライプ領域に形成されたリッジ型の第2導電型第2クラッド層及び第2導電型コンタクト層並びに該ストライプ領域の両側を覆う保護膜を有する半導体発光装置であって、該第2導電型第2クラッド層の実質的全面に該コンタクト層が形成されていることを特徴とする半導体発光装置及び基板上に第1導電型第1クラッド層、活性層及び第2導電型第1クラッド層を形成した後、保護膜を用いて電流が注入されるストライプ領域にリッジ型の第2導電型第2クラッド層を選択成長させ、更に該リッジ型の第2導電型第2クラッド層の実質的全面にコンタクト層を形成することを特徴とする半導体発光装置の製造方法。
Claim (excerpt)：
基板上に第1導電型第1クラッド層、活性層、第2導電型第1クラッド層、電流が注入されるストライプ領域に形成されたリッジ型の第2導電型第2クラッド層及び第2導電型コンタクト層並びに該ストライプ領域の両側を覆う保護膜を有する半導体発光装置であって、該第2導電型第2クラッド層の実質的全面に該コンタクト層が形成されていることを特徴とする半導体発光装置。
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (10)
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