Pat
J-GLOBAL ID：200903098517538979
半導体集積回路
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993225337
Publication number (International publication number)：1995078471
Application date： Sep. 10, 1993
Publication date： Mar. 20, 1995
Summary：
【要約】【目的】この発明は、内部電圧発生回路で発生される電圧を電源電圧として用いる内部回路におけるMOSトランジスタの閾値変動による悪影響を防止することを目的とする。【構成】外部印加電源電圧VCCとは異なる内部電圧Vint を発生する内部電圧発生回路13と、閾値をモニタするためのMOSトランジスタを含み、上記内部電圧発生回路13で発生される内部電圧Vint の値がこの閾値モニタ用のMOSトランジスタの閾値に応じて変化するように上記内部電圧発生回路を制御する電圧変換回路14及び内部電圧制限回路12とを具備し、閾値モニタ用のMOSトランジスタの閾値が高い場合には内部電圧発生回路13で発生される内部電圧の値を高くし、閾値モニタ用のMOSトランジスタの閾値が低い場合には内部電圧発生回路13で発生される内部電圧の値を低くするように制御することを特徴とする。
Claim (excerpt)：
半導体基板上に形成された半導体集積回路であって、外部印加電源電圧とは異なる内部電圧を発生する内部電圧発生手段と、閾値をモニタするためのMOSトランジスタを含み、上記内部電圧発生手段で発生される内部電圧の値がこの閾値モニタ用のMOSトランジスタの閾値に応じて変化するように上記内部電圧発生手段を制御する制御手段とを具備し、上記制御手段は、上記閾値モニタ用のMOSトランジスタの閾値が高い場合には上記内部電圧発生手段で発生される内部電圧の値を高くし、上記閾値モニタ用のMOSトランジスタの閾値が低い場合には上記内部電圧発生手段で発生される内部電圧の値を低くするように制御することを特徴とする半導体集積回路。
IPC (5)：
G11C 11/407
, G05F 3/24
, H01L 27/04
, H01L 21/822
, H03G 3/20
G11C 11/34 354 F
, H01L 27/04 G
Cited by examiner (7)
Show all
Return to Previous Page
