プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：滝本智之 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996045742
Publication number (International publication number)：1997246240
Application date： Mar. 04, 1996
Publication date： Sep. 19, 1997
Summary：

【要約】【課題】第1の誘電板3の内壁面のうち、中心付近で特に発生するスパッタリングを抑制するとともに、ドーム状渦形放電コイル16を安定的に固定し、大気中で異常放電することのないプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】プラズマ処理装置において、真空容器1の上壁を構成する第1の誘電板3の内壁面を平面とし、第1の誘電板3の外側に設けられるドーム状渦形放電コイル16は、中心に近いほど第1の誘電板3の内壁面との距離が大きい構造にする。ドーム状渦形放電コイル16をセラミック板8またはガラス板11または快削性セラミック板12上に施した、中心に近い程浅く、かつ溝幅を室温時のドーム状渦形放電コイル16の線幅よりも若干広い渦形放電コイル固定用溝9に接着せずに、沿うように配する。

Claim (excerpt)：

上壁が平板状の第1の誘電板で構成された真空容器と、前記第1の誘電板の外壁上に配された平板状の第2の誘電板と、さらにその第2の誘電板上に配された渦形放電コイルとを用いてプラズマ処理を行なうプラズマ処理方法であって、前記第2の誘電板の前記渦形放電コイルに対向する面には渦形放電コイル固定用溝を設け、前記渦形放電コイル固定用溝の溝幅を室温時の前記渦形放電コイルの線幅よりも若干広くし、前記渦形放電コイルを前記渦形放電コイル固定用溝に接着せず、はめ込むように配し、前記渦形放電コイルの中心に高周波電圧を印加して真空容器内にプラズマを発生させてプラズマ処理を行なうプラズマ処理方法。

IPC (4)：

H01L 21/3065 , H01L 21/203 , H01L 21/205 , H05H 1/46

FI (4)：

H01L 21/302 B , H01L 21/203 S , H01L 21/205 , H05H 1/46 L

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

半導体処理装置用チャンバー
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-004885 Applicant：株式会社プラズマシステム
プラズマ処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-273142 Applicant：東京エレクトロン株式会社
プラズマ処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-067792 Applicant：堀池靖浩, 株式会社神戸製鋼所

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