Pat

J-GLOBAL ID：200903098532450751

活性化ダイヤモンド粒子放出体を有する電界放出デバイスおよびその製造方法

Inventor： サンゴー ジン ,  グレゴリー ピーター コチャンスキー ,  ウェイ ズー
Applicant, Patent owner： エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション
Agent (1)： 三俣 弘文
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996012718
Publication number (International publication number)：1996241665
Application date： Jan. 29, 1996
Publication date： Sep. 17, 1996
Summary：

【要約】【解決手段】 電子の電界放出デバイスを製造する方法である。ダイヤモンドを含む粒子を供給する工程と、ダイヤモンドの大部分の最大寸法を5〜10,000nmの範囲とする工程と、粒子に300°Cを越える温度の水素を含むプラズマにさらす工程と、導電性部分を有する基板に粒子を接着する工程と、ダイヤモンド粒子に隣接して電極を配置する工程と、を有する方法である。【効果】 製造速度を高め、コストを低減させ、水素プラズマおよび高温度にさらされることによるデバイス基板への損傷の可能性を低下させる。

Claim (excerpt)：

電子の電界放出デバイスを製造する方法において、(A)ダイヤモンドを含む粒子を供給する工程と、(B)前記ダイヤモンドの大部分の最大寸法を5〜10,000nmの範囲とする工程と、(C)前記粒子に300°Cを越える温度の水素を含むプラズマにさらす工程と、(D)導電性部分を有する基板に前記粒子を接着する工程と、(E)前記ダイヤモンド粒子に隣接して電極を配置する工程と、を有することを特徴とする方法。

IPC (3)：

H01J 1/30 ,  H01J 9/02 ,  H01J 31/12

FI (3)：

H01J 1/30 A ,  H01J 9/02 B ,  H01J 31/12 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 超微細ダイヤモンド粒子状エミッタを用いた電界放出素子とその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-334790   Applicant：エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション