Pat

J-GLOBAL ID：200903066707823050

超微細ダイヤモンド粒子状エミッタを用いた電界放出素子とその製造方法

Inventor： サンゴー ジン ,  グレゴリー ピーター コチャンスキー ,  ウェイ ズー
Applicant, Patent owner： エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション
Agent (1)： 三俣 弘文
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995334790
Publication number (International publication number)：1996236010
Application date： Dec. 22, 1995
Publication date： Sep. 13, 1996
Summary：

【要約】【課題】 超微細ダイヤモンド粒子エミッタを用いた電界放出素子を提供する。【解決手段】 本発明は、極めて低い電界で電子放出の能力を強化するよう処理された市販のダイヤモンド粒子を用いた電子エミッタの製造方法を開示した。電子エミッタは水素プラズマで熱処理された超微細ダイヤモンド粒子(5-10000nm)を用いて、8V/μmと極めて低い電界で0.1mA/mm2以上の電子放出電流を生成できる。エミッタは、nmサイズの超微細ダイヤモンド粒子またはダイヤモンドコーティングされた粒子をプラズマ活性化処理して、この粒子を懸濁液またはドライ粒子にし、粘着性を改善するためにオプションとして乾燥処理を行って、n-タイプSiまたは金属の導電性基板に付着するよう製造される。

Claim (excerpt)：

電子電界放出素子を製造する方法において、ダイヤモンド粒子またはダイヤモンドコーティングされた粒子を準備するステップと、最大サイズが5〜10000nmとなるダイヤモンド粒子またはダイヤモンドコーティングされた粒子を、300°Cを超える温度の水素を含有するプラズマで照射するステップと、基板を準備するステップと、前記粒子を前記基板に付着させるステップと、前記ダイヤモンド粒子に隣接して電極を配置するステップとを含むことを特徴とする電子電界放出素子の製造方法。

IPC (3)：

H01J 1/30 ,  H01J 9/02 ,  H01J 31/12

FI (3)：

H01J 1/30 A ,  H01J 9/02 B ,  H01J 31/12 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 冷陰極エミツタ素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-117521   Applicant：株式会社神戸製鋼所
• 活性化ダイヤモンド粒子放出体を有する電界放出デバイスおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-012718   Applicant：エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション