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J-GLOBAL ID:200903098570426368

スパッタ装置のマグネトロンカソード電極

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 田宮 寛祉
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1994303116
Publication number (International publication number):1996134640
Application date: Nov. 12, 1994
Publication date: May. 28, 1996
Summary:
【要約】【目的】 スパッタ装置においてターゲットを均一性よくエッチングし、基板に形成される膜厚の分布の均一性を高め、ターゲットの利用効率の向上する。【構成】 1個以上の磁石ユニット25を配列してなりターゲット17の裏側に配置される磁石組立体27と、この磁石組立体をターゲットに対して往復的に移動させる機構28〜33を備え、磁石ユニット25における磁石組立体の移動方向44に平行となる部分を、当該部分に基づくターゲット面上の磁界成分強度が他の部分に基づくターゲット面上の磁界成分強度よりも小さくなるように設定される。
Claim (excerpt):
1個以上の磁石ユニットを含みターゲットの裏側に配置される磁石組立体と、この磁石組立体を前記ターゲットに対して往復的に移動させる機構を備えたスパッタ装置のマグネトロンカソード電極において、前記磁石ユニットにおける前記磁石組立体の移動方向に平行となる部分を、当該部分に基づく前記ターゲット面上の磁界成分強度が他の部分に基づく前記ターゲット面上の磁界成分強度よりも小さくなるように設定したことを特徴とするスパッタ装置のマグネトロンカソード電極。
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
  • 特開平2-088766
  • スパッタリング装置
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平4-358027   Applicant:日電アネルバ株式会社
  • 特開平1-230770
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