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J-GLOBAL ID：200903098577482905

薄膜形成装置

Inventor： 貞本 満 ,  田中 博文 ,  柳川 紀行 ,  福田 伸
Applicant, Patent owner： 三井東圧化学株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995143036
Publication number (International publication number)：1996340034
Application date： Jun. 09, 1995
Publication date： Dec. 24, 1996
Summary：

【要約】【構成】 基体仕込み室と、複数の成膜室と、該仕込み室と成膜室間および/または該成膜室間に基体を搬送するための複数の基体搬送室とからなり、該基体搬送室の間に少なくとも一つの基体受渡し室を介在せしめてなる薄膜形成装置であって、一つの成膜室から他の成膜室への基体の搬送において、該複数の基体搬送室と該介在せる基体受渡し室を経由しうる構造としたことを特徴とする薄膜形成装置。【効果】 新規な薄膜形成装置の構成を与えることにより、生産性の向上を高めることができ、また、同じ構成のチャンバーを組み合わせることにより、柔軟に、様々な層構造を有する膜の形成に対応することができる。さらに、ある成膜室のクリーニングや補修が必要な場合においても、その1室だけを個別に対応することができ、生産性の向上に大きく寄与する。

Claim (excerpt)：

基体仕込み室と、複数の成膜室と、該仕込み室と成膜室間および/または該成膜室間に基体を搬送するための複数の基体搬送室とからなり、該基体搬送室の間に少なくとも一つの基体受渡し室を介在せしめてなる薄膜形成装置であって、一つの成膜室から他の成膜室への基体の搬送において、該複数の基体搬送室と該介在せる基体受渡し室を経由しうる構造としたことを特徴とする薄膜形成装置。

IPC (5)：

H01L 21/68 ,  B01J 19/00 ,  B05C 13/00 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/205

FI (5)：

H01L 21/68 A ,  B01J 19/00 F ,  B05C 13/00 ,  H01L 21/02 Z ,  H01L 21/205

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 多チャンバ型半導体製造装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-241262   Applicant：株式会社日立製作所
• 特開平4-158508
  
• 特開平4-158508