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J-GLOBAL ID：200903098580048000

化合物半導体素子及びその作製方法

Inventor： 冨岡 聡 ,  ヤン・ルベレゴ ,  河合 弘治
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 山本 孝久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994145501
Publication number (International publication number)：1995335989
Application date： Jun. 03, 1994
Publication date： Dec. 22, 1995
Summary：

【要約】【目的】選択エピタキシャル成長技術に基づいて作製された、高い信頼性を有する配線構造を備えた化合物半導体素子を提供する。【構成】化合物半導体基板10、この基板の{111}B面上に形成された化合物半導体結晶層20、及びこの基板上に形成されたマスク層12の上に設けられたコンタクト部44から成る化合物半導体素子であって、化合物半導体結晶層20の頂面22Aは{-1,-1,-1}面から構成され、頂面22Aには電極40が形成されており、化合物半導体結晶層20には少なくとも1つの斜面22Bが形成されており、斜面22Bは主に{0,-1,-1}面から構成されており、コンタクト部44と電極40とは、斜面22B上を延びる配線層42で電気的に接続されている。

Claim (excerpt)：

化合物半導体基板、該化合物半導体基板の{111}B面上に形成された化合物半導体結晶層、及び該化合物半導体基板上に形成されたマスク層の上に設けられたコンタクト部から成る化合物半導体素子であって、該化合物半導体結晶層の頂面は{-1,-1,-1}面から構成され、該頂面には電極が形成されており、該化合物半導体結晶層には少なくとも1つの斜面が形成されており、該斜面は主に{0,-1,-1}面から構成されており、コンタクト部と電極とは、該斜面上を延びる配線層で電気的に接続されていることを特徴とする化合物半導体素子。

IPC (4)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 33/00 ,  H01L 31/10

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• 特開昭54-006786
  
• 特開平4-111487
  
• 半導体光導波路およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-293867   Applicant：日本電信電話株式会社