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J-GLOBAL ID:200903098602489146

導体の形成方法及び装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 牧野 剛博 (外3名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001076672
Publication number (International publication number):2002280710
Application date: Mar. 16, 2001
Publication date: Sep. 27, 2002
Summary:
【要約】【課題】 高い付着強度を有する導体の形成方法及び装置を提供すること。【解決手段】 基板Wに対するシード層の高い付着強度を確保するために、Cu等の金属イオンをさらに高エネルギーで基板に衝突させる。これにより、シード層の付着強度を向上させることができる。具体的には、基板W上に成膜した膜厚100Å〜2000Åの下地層に可動式の電極であるフック部材64cを接触させ、下地層に-70V〜-250Vのバイアス電位を与え、プラスイオンであるCu+、Ar+等をこのバイアス電圧で加速させて下地層に入射させた。
Claim (excerpt):
配線基板における導体の形成方法であって、絶縁体である樹脂材料上に、プラズマによってイオン化した配線材料の蒸発粒子を堆積して導電性の下地層を形成する第1工程と、前記下地層に所定のバイアス電圧を印加した状態で、当該下地層上に、プラズマによってイオン化した配線材料の蒸発粒子を含むイオンを入射させる第2工程とを備える導体の形成方法。
IPC (6):
H05K 3/14 ,  C23C 14/20 ,  C23C 14/32 ,  C23C 14/56 ,  H05K 3/38 ,  H05K 3/46
FI (8):
H05K 3/14 A ,  H05K 3/14 B ,  C23C 14/20 A ,  C23C 14/32 Z ,  C23C 14/56 G ,  H05K 3/38 B ,  H05K 3/46 B ,  H05K 3/46 Y
F-Term (34):
4K029BA08 ,  4K029BB02 ,  4K029BC03 ,  4K029BD02 ,  4K029CA03 ,  4K029CA13 ,  4K029DB03 ,  4K029DB17 ,  4K029DD05 ,  4K029EA01 ,  4K029KA02 ,  4K029KA03 ,  5E343AA02 ,  5E343AA12 ,  5E343AA39 ,  5E343BB24 ,  5E343BB71 ,  5E343DD24 ,  5E343DD43 ,  5E343ER23 ,  5E343FF16 ,  5E343GG02 ,  5E346AA12 ,  5E346AA15 ,  5E346AA35 ,  5E346BB01 ,  5E346CC02 ,  5E346CC08 ,  5E346CC32 ,  5E346DD15 ,  5E346DD24 ,  5E346EE33 ,  5E346GG17 ,  5E346HH11
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)

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