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J-GLOBAL ID:200903098611446093

透明導電性薄膜およびその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993239674
Publication number (International publication number):1995090548
Application date: Sep. 27, 1993
Publication date: Apr. 04, 1995
Summary:
【要約】【目的】赤外線及び紫外線を遮光できるとともに、層間の密着性が良く、安定性に優れ、他層へのドープ材の拡散を抑制し機能性の劣化の少ない透明導電性薄膜およびその製造方法を提供する。【構成】基板上に酸化亜鉛からなる第1の薄膜層2と、三価以上の金属もしくは半導体を含む酸化亜鉛からなる第2の薄膜層3の間に、三価以上の金属もしくは半導体の含有量が連続的に変化してなる酸化亜鉛を主成分とする第3の薄膜層4を設ける。導電性・透明性・赤外線吸収性・紫外線反射性及び環境に対する安定性を有し、さらに第3の薄膜層4は前記両層の密着性の向上と、第2の薄膜層及びそれ自体からの三価以上の金属もしくは半導体の物質の拡散移動を抑制することができ、第1の薄膜層の劣化を遅くし、透明導電性薄膜の機能低下を防止できる。
Claim (excerpt):
酸化亜鉛からなる第1の薄膜層と、三価以上の金属もしくは半導体を含む酸化亜鉛からなる第2の薄膜層を積層してなる透明導電性薄膜において、前記第1の薄膜層と前記第2の薄膜層との間に、三価以上の金属もしくは半導体の含有量を連続的に変化せしめた酸化亜鉛を主成分とする第3の薄膜層を形成してなることを特徴とする透明導電性薄膜。
IPC (3):
C23C 14/06 ,  B32B 9/00 ,  B32B 15/04
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)
  • 光起電力素子
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平3-269423   Applicant:キヤノン株式会社
  • 特開平4-141909

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