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J-GLOBAL ID：200903098630411411

電気的に書き込み・消去可能な不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法

Inventor： 安江 孝夫 ,  片山 俊治 ,  福本 晃二 ,  本田 和仁 ,  有馬 由紀
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 曾我 道照 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994096505
Publication number (International publication number)：1995307398
Application date： May. 10, 1994
Publication date： Nov. 21, 1995
Summary：

【要約】【目的】 浮遊ゲートのポリシリコングレインの成長の問題を無くし、上記ポリシリコングレインに起因したゲート・バーズビークの発生を無くし、その部分におけるゲート酸化膜の凹凸を小さくして、ドレイン・ディスターブ不良を起こさない信頼性の高いものを得る。【構成】 浮遊ゲート2Aを単結晶シリコンから構成した。【効果】 ポリシリコングレイ成長を無くして、ドレイン・ディスターブ不良を起こさない信頼性の高い装置を得ることができる。

Claim (excerpt)：

半導体基板と、この半導体基板表面に形成されたゲート酸化膜と、このゲート酸化膜上に形成された浮遊ゲート及び制御ゲートとを備えた電気的に書き込み・消去可能な不揮発性半導体記憶装置において、前記浮遊ゲートは単結晶シリコンからなることを特徴とする電気的に書き込み・消去可能な不揮発性半導体記憶装置。

IPC (3)：

H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• 特開昭59-138382
  
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-228470   Applicant：三菱電機株式会社
• 不揮発性半導体記憶装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-228294   Applicant：三菱電機株式会社

Cited by examiner (3)

• 特開昭59-138382
  
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-228470   Applicant：三菱電機株式会社
• 不揮発性半導体記憶装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-228294   Applicant：三菱電機株式会社