面発光レーザ

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：長尾達也
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007198485
Publication number (International publication number)：2009038062
Application date： Jul. 31, 2007
Publication date： Feb. 19, 2009
Summary：

【課題】上部反射鏡の反射率への影響を抑制することができ、単一横モードで、かつ高出力が得られる面発光レーザを提供する。【解決手段】基板上に、下部半導体多層膜反射鏡、活性層、上部半導体多層膜反射鏡、を含む複数の半導体層が積層されて構成された面発光レーザであって、前記下部半導体多層膜反射鏡または前記上部半導体多層膜反射鏡は、前記基板に対して平行方向に配列された高屈折率部と低屈折率部とによる2次元フォトニック結晶構造が形成された第1の半導体層を備え、前記第1の半導体層の上に積層された第2の半導体層には、前記低屈折率部にまで通じる細孔が形成され、前記細孔は、前記基板と平行方向の断面が、前記第1の半導体層に形成された前記低屈折率部の断面よりも小さい断面を有する構成とする。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

基板上に、下部半導体多層膜反射鏡、活性層、上部半導体多層膜反射鏡、を含む複数の半導体層が積層されて構成された面発光レーザであって、前記下部半導体多層膜反射鏡または前記上部半導体多層膜反射鏡は、前記基板に対して平行方向に配列された高屈折率部と低屈折率部とによる2次元フォトニック結晶構造が形成された第1の半導体層を備え、前記第1の半導体層の上に積層された第2の半導体層には、前記低屈折率部にまで通じる細孔が形成され、前記細孔は、前記基板と平行方向の断面が、前記第1の半導体層に形成された前記低屈折率部の断面よりも小さい断面を有していることを特徴とする面発光レーザ。

IPC (1)：

H01S 5/187

FI (1)：

H01S5/187

F-Term (14)：

5F173AC03 , 5F173AC13 , 5F173AC35 , 5F173AC42 , 5F173AC52 , 5F173AC70 , 5F173AH02 , 5F173AP05 , 5F173AP32 , 5F173AP33 , 5F173AP37 , 5F173AP67 , 5F173AR14 , 5F173AR33

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

面発光レーザ及び光伝送システム
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-169411 Applicant：株式会社リコー
3次元半導体光結晶素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-357673 Applicant：日本電信電話株式会社
面発光レーザ、該面発光レーザにおける二次元フォトニック結晶の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2006-217002 Applicant：キヤノン株式会社

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