Pat

J-GLOBAL ID：200903010354533325

3次元半導体光結晶素子の製造方法

Inventor： 納富 雅也 ,  竹ノ内 弘和
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社
Agent (1)： 磯野 道造
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997357673
Publication number (International publication number)：1999183735
Application date： Dec. 25, 1997
Publication date： Jul. 09, 1999
Summary：

【要約】【課題】 光の波長の半分程度の大きさを持った3次元屈折率変調構造を構成することにより、3次元半導体光結晶素子を製造する方法を提供することを課題とする。【解決手段】 半導体基板上に、組成の異なる半導体多層膜4を成長する工程、リソグラフィー技術により半導体多層膜に周期的な孔6をあける工程、多層膜を構成する特定の半導体層のAlのみを酸化することにより当該層を強制酸化により形成されたAl2O3 層7に転化する工程、とを組み合わせることにより、全体として3次元半導体屈折率変調構造を得ることを解決手段とする。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に、複数の光閉じ込め用のクラッド層と複数の光伝送用のコア層とが交互に積層されてなる3次元半導体光結晶素子の製造方法において、まず、前記半導体基板上に、Alを含んだ第1の半導体からなる前記クラッド層と、Alを含まない半導体もしくはAlを含んだ半導体であってもそのAlの組成が前記第1の半導体よりも0.02以上小さい第2の半導体からなる前記コア層とが、交互に積層された積層構造を成長する工程と、次に、前記積層構造による多層膜に対して垂直に、エッチングにより2次元周期配列を有する複数の孔を形成する工程と、最後に、前記クラッド層のAlを選択的に酸化することにより、その一部もしくは全部を酸化物に変化させる工程と、からなることを特徴とする、3次元半導体光結晶素子の製造方法。

IPC (5)：

G02B 6/00 371 ,  G02B 6/00 396 ,  G02B 6/13 ,  G02B 6/12 ,  H01S 3/18

FI (5)：

G02B 6/00 371 ,  G02B 6/00 396 ,  H01S 3/18 ,  G02B 6/12 M ,  G02B 6/12 N

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 屈折率多次元周期構造の作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-115097   Applicant：沖電気工業株式会社, 技術研究組合新情報処理開発機構
• 半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-034543   Applicant：松下電器産業株式会社
• 光集積素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-075888   Applicant：日本電信電話株式会社