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J-GLOBAL ID：200903098688464930

半導体装置およびその製造方法

Inventor： 近藤 市治 ,  寺 亮之介 ,  伊藤 基樹 ,  渡辺 雄介 ,  田中 和夫 ,  新美 彰浩
Applicant, Patent owner： 日本電装株式会社
Agent (1)： 藤谷 修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994131358
Publication number (International publication number)：1995321116
Application date： May. 19, 1994
Publication date： Dec. 08, 1995
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】フリップチップにおいて、水素脆化によるバンプ電極の機械的強度の劣化を防止することであり、それによってバンプ電極の根元径をより微細化したフリップチップタイプの半導体装置を提供する。【構成】バリアメタル11として、窒化チタン(TiN) という、絶縁膜4と密着性が高く、水素脆化がない材料を用いることで、バンプ電極20の根元の下地部分が劣化することがなく、バンプ電極の根元径を従来より小さくすることができる。

Claim (excerpt)：

フリップチップ上に形成した機能素子と外部基板とのコンタクトをとるためのバンプ電極を有する半導体装置において、フリップチップ表面の絶縁膜に設けられたコンタクトホールと、該コンタクトホールの底に形成された金属膜と、該金属膜上に、前記バンプ電極の形成層の下部にバリア層として形成された窒化チタン(TiN) 層と、前記窒化チタン(TiN) 層の上に設けられた、バンプ成長用下地膜と、前記パンプ成長用下地膜上にホトレジストの開口部を設けて成長させ、後に該ホトレジストを除去することで形成される金属製のバンプ電極とからなることを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 21/321 ,  H01L 21/28 301

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭63-128648
  
• 特開昭62-128154
  
• 半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-253306   Applicant：三菱電機株式会社