Pat
J-GLOBAL ID：200903098693335758

有機エレクトロルミネッセンス素子

Inventor：
押山 智寛

About 押山 智寛

, 
山田 岳俊

About 山田 岳俊

, 
北 弘志

About 北 弘志


Applicant, Patent owner：
コニカミノルタホールディングス株式会社

About コニカミノルタホールディングス株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003090803
Publication number (International publication number)：2004006287
Application date： Mar. 28, 2003
Publication date： Jan. 08, 2004
Summary：
【課題】本発明の目的は、発光輝度に優れ、かつ長寿命な有機エレクトロルミネッセンス素子を提供することにある。【解決手段】正孔輸送層、ホスト化合物及びリン光性化合物を含有する発光層、正孔ブロック層、及び電子輸送層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、該正孔ブロック層のLUMO(最低空分子軌道)のエネルギー準位と該発光層のLUMOのエネルギー準位との差をc(eV)、該正孔ブロック層のHOMO(最高被占分子軌道)のエネルギー準位と該発光層のHOMOのエネルギー準位との差をd(eV)とした時にc<dの関係にあり、かつ該ホスト化合物のバンドギャップが3.3eV以上、5.0eV以下で、該ホスト化合物の分子量が500以上であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。【選択図】 なし
Claim (excerpt)：
正孔輸送層、ホスト化合物及びリン光性化合物を含有する発光層、正孔ブロック層、及び電子輸送層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、該正孔ブロック層のLUMO(最低空分子軌道)のエネルギー準位と該発光層のLUMOのエネルギー準位との差をc(eV)、該正孔ブロック層のHOMO(最高被占分子軌道)のエネルギー準位と該発光層のHOMOのエネルギー準位との差をd(eV)とした時にc<dの関係にあり、かつ該ホスト化合物のバンドギャップが3.3eV以上、5.0eV以下で、該ホスト化合物の分子量が500以上であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
IPC (2)：
H05B33/14 ,  C09K11/06
FI (2)：
H05B33/14 B ,  C09K11/06 660
F-Term (3)：
3K007AB02 ,  3K007AB11 ,  3K007DB03
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
Show all
Article cited by the Patent：
Cited by examiner (1)

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM