薄膜デバイスの転写方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：井上一 , 布施行夫 , 大渕美千栄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003410773
Publication number (International publication number)：2004165679
Application date： Dec. 09, 2003
Publication date： Jun. 10, 2004
Summary：

【課題】薄膜デバイスを含む被転写層の製造時に用いた基板に対する被転写層の積層関係と、その被転写層の転写先である転写体に対する被転写層の積層関係とを一致させること。【解決手段】基板上に第1分離層を設けておき、その基板上にTFT等の薄膜デバイス140を形成する。薄膜デバイス140の形成後、水溶性、有機溶剤溶融性、あるいは加熱または紫外線照射により剥離作用を有する接着剤からなる第2分離層160を介して薄膜デバイス140を一次転写体180に接合した後に、基板側からレーザー光を照射する。これによって第1分離層にて剥離を生じさせ、薄膜デバイス140を基板より離脱させる。さらに、薄膜デバイス140の下面に接着層190を介して二次転写体200を接合する。その後、第2分離層160を境に一次転写体180を除去する。【選択図】図34

Claim (excerpt)：

基板上に第1分離層を形成する第1工程と、前記第1分離層上に薄膜デバイスを含む被転写層を形成する第2工程と、前記被転写層上に水溶性または有機溶剤溶融性接着剤から成る第2分離層を形成する第3工程と、前記第2分離層上に一次転写体を接合する第4工程と、前記第1分離層を境にして、前記被転写層より前記基板を除去する第5工程と、前記被転写層の下面に二次転写体を接合する第6工程と、前記第2分離層を水または有機溶剤と接触させて、前記第2分離層を境にして、前記被転写層より前記一次転写体を除去する第7工程と、を有し、前記薄膜デバイスを含む前記被転写層を二次転写体に転写することを特徴とする薄膜デバイスの転写方法。

IPC (7)：

H01L27/12 , G02F1/1333 , G02F1/136 , H01L21/02 , H01L21/336 , H01L27/08 , H01L29/786

FI (7)：

H01L27/12 B , G02F1/1333 500 , G02F1/136 , H01L21/02 B , H01L21/02 C , H01L27/08 331E , H01L29/78 627D

F-Term (58)：

2H090JB02 , 2H090JB03 , 2H090JD10 , 2H090JD17 , 2H092JA21 , 2H092KA04 , 2H092LA01 , 2H092LA04 , 2H092MA01 , 2H092MA31 , 2H092NA11 , 2H092NA25 , 5F048AB10 , 5F048AC04 , 5F048BA16 , 5F048BB05 , 5F048BB09 , 5F048BC16 , 5F048BF11 , 5F048BF16 , 5F048BG07 , 5F110AA16 , 5F110AA28 , 5F110BB02 , 5F110BB03 , 5F110BB04 , 5F110BB05 , 5F110BB10 , 5F110CC02 , 5F110CC04 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD12 , 5F110DD30 , 5F110EE02 , 5F110EE04 , 5F110EE09 , 5F110EE14 , 5F110FF02 , 5F110FF29 , 5F110FF30 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG25 , 5F110GG47 , 5F110HJ01 , 5F110HJ13 , 5F110HJ18 , 5F110HL03 , 5F110NN04 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110PP03 , 5F110PP04 , 5F110PP05 , 5F110QQ11 , 5F110QQ16

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

特表平6-504139
半導体板形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-010980 Applicant：コミツサリアタレネルジーアトミーク

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