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J-GLOBAL ID：200903098775439101

レジストパターンの製造方法

Inventor：
上谷 保則

About 上谷 保則


Applicant, Patent owner：
住友化学工業株式会社

About 住友化学工業株式会社


Agent (1)： 久保山 隆 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997135253
Publication number (International publication number)：1998326020
Application date： May. 26, 1997
Publication date： Dec. 08, 1998
Summary：
【要約】【課題】 レジストの現像後に、ある種の薬剤でそのレジストを修飾することにより、ドライエッチング耐性を向上させる。【解決手段】 フェノール性水酸基、アルコール性水酸基およびカルボン酸基からなる群より選ばれる官能基を有する樹脂を含有するレジスト膜に放射線を照射し、現像し、現像後のレジストパターンを、前記樹脂中の官能基に結合しうる基であって、炭素密度パラメーターN/(Nc-No)(ここにNは総原子数を表し、Nc は炭素原子数を表し、そしてNo は酸素原子数を表す)が4未満の基で修飾することにより、ドライエッチング耐性に優れたレジストパターンを製造する。
Claim (excerpt)：
フェノール性水酸基、アルコール性水酸基およびカルボン酸基からなる群より選ばれる官能基を有する樹脂を含有するレジスト膜に放射線を照射し、現像し、そして現像後のレジストパターンを、前記樹脂中の官能基に結合しうる基であって、炭素密度パラメーターN/(Nc-No)(ここにNは総原子数を表し、Nc は炭素原子数を表し、そしてNo は酸素原子数を表す)が4未満の基で修飾することを特徴とする、ドライエッチング耐性に優れたレジストパターンの製造方法。
IPC (3)：
G03F 7/38 512 ,  G03F 7/039 ,  H01L 21/027
FI (3)：
G03F 7/38 512 ,  G03F 7/039 ,  H01L 21/30 502 R
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3) Cited by examiner (3)

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