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J-GLOBAL ID：200903098793574091

表面実装型発光ダイオード及びその製造方法

Inventor：
小池 晃

About 小池 晃

, 
村野 由夫

About 村野 由夫

, 
深澤 孝一

About 深澤 孝一


Applicant, Patent owner：
株式会社シチズン電子

About 株式会社シチズン電子


Agent (1)： 浅川 哲
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999057750
Publication number (International publication number)：2000261041
Application date： Mar. 04, 1999
Publication date： Sep. 22, 2000
Summary：
【要約】【課題】 表面実装型の発光ダイオードにおいて、蛍光物質等の波長変換用材料が外部からの紫外線などによる影響を受けないようにして波長変換用材料の老化を抑える。【解決手段】 ガラエポ基板12の上面に搭載した発光ダイオード素子15の周囲に反射枠21を配置し、この反射枠21内に波長変換用材料が混入された第1の樹脂25を充填して発光ダイオード素子15を封止すると共に、反射枠21を含むガラエポ基板12の上部に第2の樹脂27及び表層としての第3の樹脂28を層状に重ねて全体を封止し、少なくとも第3の樹脂28中には紫外線吸収剤を混入してある。
Claim (excerpt)：
ガラエポ基板の上面に発光ダイオード素子を配置し、この発光ダイオード素子の電極とガラエポ基板に形成した一対の電極とをそれぞれ接続したのち、ガラエポ基板の上部を樹脂で封止してなる表面実装型発光ダイオードにおいて、前記発光ダイオード素子の周囲に反射枠を配置し、この反射枠内に波長変換用材料が混入された第1の樹脂を充填して発光ダイオード素子を封止すると共に、反射枠を含むガラエポ基板の上部に第2の樹脂及び表層としての第3の樹脂を層状に重ねて全体を封止し、少なくとも第3の樹脂中には紫外線吸収剤を混入してあることを特徴とする表面実装型発光ダイオード。
IPC (4)：
H01L 33/00 ,  H01L 23/28 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31
FI (4)：
H01L 33/00 N ,  H01L 23/28 D ,  H01L 23/30 B ,  H01L 23/30 F
F-Term (24)：
4M109AA02 ,  4M109BA04 ,  4M109CA01 ,  4M109CA06 ,  4M109DA07 ,  4M109DB07 ,  4M109EA02 ,  4M109EB08 ,  4M109EB12 ,  4M109EB18 ,  4M109EC11 ,  4M109EE12 ,  4M109EE15 ,  4M109GA01 ,  5F041AA43 ,  5F041CA33 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041DA12 ,  5F041DA46 ,  5F041DA57 ,  5F041DA92 ,  5F041EE11 ,  5F041EE23
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
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Cited by examiner (4)
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