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J-GLOBAL ID：200903098842533860
無転位GaN基板の製造方法及びGaN基材
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
高島 一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997350701
Publication number (International publication number)：1998326912
Application date： Dec. 19, 1997
Publication date： Dec. 08, 1998
Summary：
【要約】【課題】 厚膜のGaN半導体材料の成長が可能で、しかも転位欠陥を内包しない無転位GaN基板の製造方法及びGaN基材を提供すること。【解決手段】 ベース基板1の表面を、それ自身の表面からは実質的に結晶成長し得ない材料からなる第一のマスク層2で部分的に覆い、次いでベース基板表面の非マスク部11を出発点として第一のマスク層2上を覆うまで第一のGaN層3を成長させてGaN母材Mを得る。このGaN母材M表面を前記の工程におけるベース基板1表面とみなして、同様に第二のマスク層21を形成し、さらに第二のGaN層31の成長を行なう。ここで第二のマスク層21は非マスク部11上を覆うように形成する。これにより、第二のGaN層31を無転位の半導体層と出来る。
Claim (excerpt)：
ベース基板の表面を、それ自身の表面からは実質的に結晶成長し得ない材料からなるマスク層で部分的に覆い、次いでベース基板表面の非マスク部を出発点として前記マスク層上を覆うまでGaN層を成長させてGaN母材を得る第一の工程と、該GaN母材表面を前記第一の工程におけるベース基板表面とみなして、同様にマスク層形成及びGaN層の成長を行う第二の工程とからなることを特徴とする無転位GaN基板の製造方法。
IPC (3)：
H01L 33/00
, H01L 21/203
, H01L 21/205
H01L 33/00 C
, H01L 21/203 M
, H01L 21/205
